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Sensor (HK) Limited

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MrLiu Guo Xiong

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

Característica del FET :-

Estado del producto :Descatalogado en Digi-Key

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Vgs(th) (máximo) @ Id :2V @ 250μA

Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :50 pF a 25 V

Serie :-

Vgs (máximo) :± 20 V

Paquete :Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)

Paquete de dispositivos del proveedor :SOT-523

Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs :7,5 ohmios a 50 mA, 5 V

El Sr. :Diodos incorporados

Temperatura de funcionamiento :-55 °C ~ 150 °C (TJ)

Tipo de FET :N-canal

Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) :5V, 10V

Disipación de poder (máxima) :150 mW (Ta)

Envase / estuche :SOT-523

Voltagem de salida a la fuente (Vdss) :Las demás:

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C :115mA (TA)

tecnología :MOSFET (óxido de metal)

Número del producto de base :2N7002

Descripción :MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 y sus componentes

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N-canal 60 V 115mA (Ta) 150mW (Ta) Montado de superficie SOT-523

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