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Sensor (HK) Limited

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MrLiu Guo Xiong

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SPP21N50C3HKSA1

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

Característica del FET :-

Vgs(th) (máximo) @ Id :3.9V @ 1mA

Temperatura de funcionamiento :-55 °C ~ 150 °C (TJ)

Envase / estuche :TO-220-3

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :95 nC @ 10 V

Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs :Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de e

Tipo de FET :N-canal

Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) :10 V

Paquete :El tubo

Voltagem de salida a la fuente (Vdss) :560 V

Vgs (máximo) :± 20 V

Estado del producto :No está disponible

Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :2400 pF @ 25 V

Tipo de montaje :A través del agujero

Serie :CoolMOS™

Paquete de dispositivos del proveedor :Se trata de una serie de medidas de seguridad.

El Sr. :Tecnologías Infineon

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C :21A (Tc)

Disipación de poder (máxima) :208W (Tc)

tecnología :MOSFET (óxido de metal)

Número del producto de base :SPP21N

Descripción :MOSFET N-CH 560V 21A TO220-3 y el resto de los componentes

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N-canal 560 V 21A (Tc) 208W (Tc) a través del agujero PG-TO220-3-1

Carro de la investigación 0

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