Sensor (HK) Limited

En la industria de semiconductores en rápida evolución, Shenzhen Chaosheng Electronics, como proveedor líder de servicios de ventas de chips, se dedica a ofrecer a nuestros clientes los productos de

Manufacturer from China
Evaluación de proveedor
2 Años
Casa / Productos / Integrated Circuits ICs /

MT41K256M16TW-107:P Memoria de acceso aleatorio dinámico 4Gbit Escalabilidad

Contacta
Sensor (HK) Limited
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MrLiu Guo Xiong
Contacta

MT41K256M16TW-107:P Memoria de acceso aleatorio dinámico 4Gbit Escalabilidad

Preguntar último precio
Descripción :"MT41K256M16TW-107:P" es un número de modelo para un chip DRAM (Dynamic Random Access Memory), fabri
Las existencias :10000-500000 piezas
Cantidad mínima de pedido :1000 unidades
Condiciones de pago :T/T
Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Capacidad de almacenamiento :4Gbit
Anchura de los datos :16 bits
Tipo de paquete :FBGA-96
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

El MT41K256M16TW-107:P es un chip DRAM (Dynamic Random Access Memory) producido por Micron, perteneciente a la familia DDR3L (Low Voltage DDR3).

Parámetros básicos

  • Capacidad de almacenamiento: 4Gbit (es decir, 256M x 16bit)
  • Ancho de datos: 16 bits
  • Tipo de paquete: FBGA-96 (Array de cuadrícula de bolas de tono fino con 96 pines)
  • Rango de tensión: 1,283V a 1,45V (conforme con el rango de baja tensión de la norma DDR3L)

Parámetros de rendimiento

  • Frecuencia del reloj: Hasta 933 MHz (aunque la frecuencia de funcionamiento real puede variar según el diseño del sistema y los requisitos de la aplicación)
  • Tiempo de acceso: por lo general relacionado con la frecuencia de funcionamiento, pero algunas referencias mencionan un tiempo de acceso de 20 ns (posiblemente un valor de ensayo en condiciones específicas)
  • Rango de temperatura de funcionamiento: Generalmente entre 0°C y 95°C, pero las temperaturas mínimas de funcionamiento pueden ser tan bajas como -40°C según diferentes fuentes

Características funcionales

  • Compatibilidad con el pasado: admite el funcionamiento a 1,5 V para compatibilidad con dispositivos DDR3
  • Estribo de datos bidireccional diferencial: Permite la señalización diferencial para mejorar la estabilidad de la señal y la inmunidad al ruido
  • Arquitectura 8n-Prefetch: Mejora la eficiencia de la transferencia de datos
  • Entradas de reloj diferencial (CK, CK#): Utiliza señales de reloj diferenciales para reducir el sesgo del reloj y el ruido
  • Tensión de la luz de la luz de la luz de la luz: Proporciona ajustes de latencia flexibles para adaptarse a las diferentes necesidades de rendimiento
  • Modo de actualización automática: Permite actualizar automáticamente los datos de memoria durante los períodos de inactividad para evitar la pérdida de datos

Información adicional

  • Conforme con la Directiva RoHS: Cumple con la norma RoHS (Restricción de sustancias peligrosas), por lo que es un producto respetuoso con el medio ambiente
  • Estilo de montaje: Dispositivo de montaje de superficie (SMD/SMT), adecuado para los requisitos de miniaturización e integración de los dispositivos electrónicos modernosMT41K256M16TW-107:P Memoria de acceso aleatorio dinámico 4Gbit Escalabilidad
Carro de la investigación 0