El MT41K256M16TW-107:P es un chip DRAM (Dynamic Random Access Memory) producido por Micron, perteneciente a la familia DDR3L (Low Voltage DDR3).
Parámetros básicos
- Capacidad de almacenamiento: 4Gbit (es decir, 256M x 16bit)
- Ancho de datos: 16 bits
- Tipo de paquete: FBGA-96 (Array de cuadrícula de bolas de tono fino con 96 pines)
- Rango de tensión: 1,283V a 1,45V (conforme con el rango de baja tensión de la norma DDR3L)
Parámetros de rendimiento
- Frecuencia del reloj: Hasta 933 MHz (aunque la frecuencia de funcionamiento real puede variar según el diseño del sistema y los requisitos de la aplicación)
- Tiempo de acceso: por lo general relacionado con la frecuencia de funcionamiento, pero algunas referencias mencionan un tiempo de acceso de 20 ns (posiblemente un valor de ensayo en condiciones específicas)
- Rango de temperatura de funcionamiento: Generalmente entre 0°C y 95°C, pero las temperaturas mínimas de funcionamiento pueden ser tan bajas como -40°C según diferentes fuentes
Características funcionales
- Compatibilidad con el pasado: admite el funcionamiento a 1,5 V para compatibilidad con dispositivos DDR3
- Estribo de datos bidireccional diferencial: Permite la señalización diferencial para mejorar la estabilidad de la señal y la inmunidad al ruido
- Arquitectura 8n-Prefetch: Mejora la eficiencia de la transferencia de datos
- Entradas de reloj diferencial (CK, CK#): Utiliza señales de reloj diferenciales para reducir el sesgo del reloj y el ruido
- Tensión de la luz de la luz de la luz de la luz: Proporciona ajustes de latencia flexibles para adaptarse a las diferentes necesidades de rendimiento
- Modo de actualización automática: Permite actualizar automáticamente los datos de memoria durante los períodos de inactividad para evitar la pérdida de datos
Información adicional
- Conforme con la Directiva RoHS: Cumple con la norma RoHS (Restricción de sustancias peligrosas), por lo que es un producto respetuoso con el medio ambiente
- Estilo de montaje: Dispositivo de montaje de superficie (SMD/SMT), adecuado para los requisitos de miniaturización e integración de los dispositivos electrónicos modernos
