H5AN8G6NDJR-XNC es un chip de memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM) DDR4 producido por SK hynix.
Capacidad de almacenamiento:
- Capacidad: 8Gb (es decir, 1GB), lograda a través de su arquitectura 512Mx16.
Las especificaciones técnicas:
- Tipo de memoria: DDR4 SDRAM
- Velocidad: Dependiendo de las fuentes, las velocidades pueden variar, pero generalmente soporta la transmisión de datos de alta velocidad.pero tenga en cuenta que las velocidades específicas pueden diferir según los lotes de productos o los entornos de aplicación.
- Válvula de tensión de funcionamiento: 1,2 V
Formulario del paquete:
- Paquete: Fine-Pitch Ball Grid Array (FBGA), específicamente un paquete FBGA de 96 bolas.
Rango de temperatura:
- Temperatura de funcionamiento: Dependiendo de las fuentes, el rango de temperatura puede variar ligeramente.mientras que otros afirman que sus especificaciones de temperatura pueden alcanzar de 0°C a +95°CEsto indica que puede funcionar de forma estable en un amplio rango de temperaturas ambientales.
Características medioambientales:
- Cumple con las normas RoHS (Restricción de sustancias peligrosas), lo que indica que reduce el uso de sustancias nocivas durante la producción y cumple con los requisitos medioambientales.
Otros parámetros:
- Número del lote: en función de la disponibilidad del mercado, el número del lote puede variar.
- Fabricante: SK hynix
Tenga en cuenta que los parámetros anteriores pueden variar en función de los lotes de productos, la disponibilidad en el mercado o los entornos de aplicación específicos.se recomienda consultar directamente a SK hynix o a los proveedores pertinentes.
Además, el rendimiento de los chips DRAM DDR4 está influenciado por otros factores como los parámetros de tiempo (por ejemplo, latencia CAS, retraso RAS-CAS), características de consumo de energía (por ejemplo,potencia de funcionamientoEstos factores se describen con más detalle en la ficha de datos o en las especificaciones técnicas del chip.
