MMRF1314HR5 es un transistor de potencia de RF fabricado por NXP, diseñado específicamente para aplicaciones de RF de alta potencia.
Parámetros básicos
- Tipo de producto: Transistores MOSFET de RF (Transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico de radiofrecuencia)
- Fabricante: NXP
- Polaridad: Canal N
- Paquete: SOT1787
- Tecnología: LDMOS (semiconductor de óxido metálico difundido lateralmente)
Parámetros eléctricos
- Frecuencia de funcionamiento: de 1200 a 1400 MHz
- Potencia de salida: 1000 W (pico)
- Ganancia típica (dB): 15,5 dB @ 1200 MHz (la ganancia específica puede variar con la frecuencia)
- Voltado de ruptura de la fuente de drenaje (Vds): No especificado directamente, pero los transistores LDMOS generalmente tienen altos voltajes de ruptura
- Corriente de drenaje continua (Id): No especificado directamente, pero determinado por los requisitos de aplicación y de diseño
- Voltado de la fuente de la puerta (Vgs): -6 V a +10 V (rango para el control del voltaje de la puerta)
- Disposición de energía (Pd): No especificado directamente, pero requiere un buen diseño de disipación de calor para aplicaciones de alta potencia
Temperatura de funcionamiento
- Temperatura máxima de funcionamiento: + 150°C
- Temperatura mínima de funcionamiento: -40 °C
Características de la aplicación
- Operación de banda ancha: Aplicación interna de entradas y salidas para una operación y utilización convenientes de la banda ancha
- Flexibilidad de configuración: Puede utilizarse en configuraciones de extremo único, empuje-tirar o cuadratura
- Alta robustez: Apto para aplicaciones con pulsos, especialmente excelente en aplicaciones de radar de banda L de alta potencia militar y comercial
Información adicional
- Paquete/casilla: Envases SMD/SMT (dispositivo de montaje en superficie/tecnología de montaje en superficie), adecuados para la tecnología de montaje en superficie
- Envasado: generalmente envasados en ciertas cantidades (por ejemplo, 50 piezas) por unidad
