Los dispositivos se fabrican en tecnología planar con la disposición de la “isla baja” y la configuración monolítica de Darlington. Los transistores resultantes muestran funcionamiento excepcional de la alta ganancia juntados con voltaje de saturación muy bajo.

Características

Diseñado para el amplificador de fines generales y los usos de poca velocidad de la transferencia.

• Voltaje de mantenimiento del Colector-emisor
VCEO (sus) = 60V (mínimo) - TIP140, TIP145
= 80V (mínimo) - TIP141, TIP146
= 100V (mínimo) - TIP142, TIP147
• Voltaje de saturación del Colector-emisor

VCE (sentado) = 2.0V (máximo) en IC = 5.0A
• Construcción monolítica con el resistor de desviación incorporado del emisor de base.

TIP142
TIP147

TIP142T
TIP147T

EN/FSC DE TIP42CTU
EN/FSC DE TIP41CTU

ST DE TIP42C
ST DE TIP41C

El transistor de poder bipolar de Darlington se diseña para el amplificador de fines generales y los usos de baja fricción de la transferencia.

El TIP140, TIP141, TIP142, (NPN); TIP145, TIP146, TIP147, (PNP) son dispositivos complementarios.

Etiquetas de productos:

Usos bipolares de la transferencia del amplificador del transistor de poder del Mosfet de Darlington TIP142

Microprocesadores de MCU

Microprocesador de memoria Flash

Chip CI programable

Chip CI del amplificador

Gestión IC del poder

Conductor IC del LED

Amplificador de potencia audio IC

Microprocesador del circuito integrado

Microprocesador de la placa de circuito

Diodo de rectificador de poder

módulo de 4g Wifi

Transistor de IGBT

Transistor de poder del Mosfet

Microprocesadores del sensor

Acopladores optos

Usos bipolares de la transferencia del amplificador del transistor de poder del Mosfet de Darlington TIP142

Transistor de poder bipolar del Mosfet de Darlington TIP142 para los usos del amplificador y de la transferencia

Descripción

Características

bipolar junction transistor

darlington npn power transistor

darlington power transistor types