Los MOSFET avanzados de potencia HEXFET® de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia a la muy baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo resistente por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales e industriales en niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.

Caracteristicas

Tecnología de proceso avanzada
Ultra baja resistencia
Calificación dinámica dv / dt
Temperatura de funcionamiento de 175 ° C
Cambio rápido
Avalancha completa
Sin plomo

Etiquetas de productos:

Resistencia ultrabaja de la temperatura de funcionamiento del transistor de poder del Mosfet de IRF3205PbF 175°C encendido -

Microprocesadores de MCU

Microprocesador de memoria Flash

Chip CI programable

Chip CI del amplificador

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Conductor IC del LED

Amplificador de potencia audio IC

Microprocesador del circuito integrado

Microprocesador de la placa de circuito

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Transistor de IGBT

Transistor de poder del Mosfet

Microprocesadores del sensor

Acopladores optos

Resistencia ultrabaja de la temperatura de funcionamiento del transistor de poder del Mosfet de IRF3205PbF 175°C encendido -

IRF3205PbF HEXFET® Power MOSFET 55V 98A TO-220 Transistores MOSFET

Descripción

Caracteristicas

epdm max temperature

amd temperature

omron temperature controller e5cn