El MOSFET s del poder del ® de la quinta generación HEXFET del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de transferencia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo que los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido para, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.
El paquete TO-220 se prefiere universal para todos los usos comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a aproximadamente 50 vatios. La resistencia termal baja y el coste bajo del paquete del TO-220 contribuyen a su aceptación amplia en la industria.
La D2PakesunpaquetesuperficialdelpoderdelsoportecapazdeservicialmuerelostamañoshastaHEX-4. Proporcionalacapacidaddelpodermás altoyelposiblemás bajoenresistenciaencualquierpaquetesuperficialexistentedelsoporte. LaD2Pakesconvenienteparalosusosde gran intensidaddebido asuresistenciainternabajade laconexiónypuededisiparsehasta2.0Wenunusosuperficialtípicodelsoporte.
La versión del por-agujero (IRF640NL) está disponible para el uso discreto.

Característica

l tecnología de proceso avanzada

l grado dinámico de dv/dt
l 175°C que actúa emperature de T

l ayuna transferencia

l completamente avalancha clasificada
l facilidad de ser paralelo a
l requisitos simples de la impulsión

l sin plomo

Paquete

Etiquetas de productos:

Transistor sin plomo del Mosfet del canal N, transistor de alta velocidad IRF640NPBF del Mosfet de 200V 18A

Microprocesadores de MCU

Microprocesador de memoria Flash

Chip CI programable

Chip CI del amplificador

Gestión IC del poder

Conductor IC del LED

Amplificador de potencia audio IC

Microprocesador del circuito integrado

Microprocesador de la placa de circuito

Diodo de rectificador de poder

módulo de 4g Wifi

Transistor de IGBT

Transistor de poder del Mosfet

Microprocesadores del sensor

Acopladores optos

Transistor sin plomo del Mosfet del canal N, transistor de alta velocidad IRF640NPBF del Mosfet de 200V 18A

Canal N 200V 18A del transporte de la INMERSIÓN de IRF640NPBF que cambia el transistor de poder del MOSFET

Descripción

ss34 diode equivalent

iridium spark plug k7rti

to220 mosfet