Los dispositivos se fabrican en tecnología plana con diseño de "isla base" y configuración monolítica de Darlington. Los transistores resultantes muestran un rendimiento excepcional de alta ganancia junto con un voltaje de saturación muy bajo.

Caracteristicas

Diseñado para amplificadores de uso general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad.

• Voltaje de sostenimiento colector-emisor
VCEO (sus) = 60V (mínimo) - TIP140, TIP145
= 80V (mínimo) - TIP141, TIP146
= 100V (mínimo) - TIP142, TIP147
• Voltaje de saturación colector-emisor

VCE (sat) = 2.0V (Máximo) en IC = 5.0A
• Construcción monolítica con resistencia de derivación de emisor base incorporada.

TIP142
TIP147

TIP142T
TIP147T

TIP42CTU ON / FSC
TIP41CTU ON / FSC

TIP42C ST
TIP41C ST

El transistor de potencia bipolar Darlington está diseñado para amplificadores de uso general y aplicaciones de conmutación de baja frecuencia.

El TIP140, TIP141, TIP142, (NPN); TIP145, TIP146, TIP147, (PNP) son dispositivos complementarios.

Etiquetas de productos:

Voltaje actual bipolar 100V del transistor de poder del Mosfet de Darlington TIP147 10A

Microprocesadores de MCU

Microprocesador de memoria Flash

Chip CI programable

Chip CI del amplificador

Gestión IC del poder

Conductor IC del LED

Amplificador de potencia audio IC

Microprocesador del circuito integrado

Microprocesador de la placa de circuito

Diodo de rectificador de poder

módulo de 4g Wifi

Transistor de IGBT

Transistor de poder del Mosfet

Microprocesadores del sensor

Acopladores optos

Voltaje actual bipolar 100V del transistor de poder del Mosfet de Darlington TIP147 10A

Transistores MOSFET TO-3P TIP147 10A 100V PNP Transistor de potencia bipolar Darlington

Descripción

Caracteristicas

mosfet power transistor com

mosfet 12v

darlington npn power transistor