	Parámetro	Máximo.	Unidades
VDS	Voltaje de la Dren-a-fuente	30	V
VGS	Voltaje de la Puerta-a-fuente	± 20	V
Identificación @ TC = 25°C	Corriente continua del dren, VGS @ 10V	161f	A
Identificación @ TC = 100°C	Corriente continua del dren, VGS @ 10V	113f
IDM	Dren pulsado c actual	620
Paladio @TC = 25°C	Disipación de poder máxima g	140	W
Paladio @TC = 100°C	Disipación de poder máxima g	71	W
	Factor que reduce la capacidad normal linear	0,95	W/°C
TJ TSTG	Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento	-55 to+175	°C
	Temperatura que suelda, por 10 segundos	300 (1.6m m de caso)	°C

Características

l RDS muy bajo (encendido) en 4.5V VGS
l impedancia ultrabaja de la puerta
l voltaje y corriente completamente caracterizados de avalancha

Usos

l convertidores síncronos de alta frecuencia del dólar para el poder del procesador del ordenador
l convertidores aislados de alta frecuencia de DC-DC con la rectificación síncrona para las telecomunicaciones y el uso industrial
l sin plomo

Transistor de poder de alta frecuencia del Mosfet para las telecomunicaciones/el uso industrial IRLR7843TRPBF

Microprocesadores de MCU

Microprocesador de memoria Flash

Chip CI programable

Chip CI del amplificador

Gestión IC del poder

Conductor IC del LED

Amplificador de potencia audio IC

Microprocesador del circuito integrado

Microprocesador de la placa de circuito

Diodo de rectificador de poder

módulo de 4g Wifi

Transistor de IGBT

Transistor de poder del Mosfet

Microprocesadores del sensor

Acopladores optos

Transistor de poder de alta frecuencia del Mosfet para las telecomunicaciones/el uso industrial IRLR7843TRPBF

MOSFET del poder del transistor IRLR7843TRPBF TO-252 30V 161A para las telecomunicaciones y el uso industrial

Descripción

Características

hf power transistor

microtek inverter

rf mosfet power transistor