La quinta generación HEXFET s del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de transferencia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo que los MOSFETs del poder de HEXFET® son bien sabido para, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.

Diseñan al D-Pak para el montaje superficial usando fase de vapor, infrarrojo, o técnicas que sueldan de la onda. La versión recta de la ventaja (serie de IRFU) está para los usos del montaje del por-agujero. Los niveles de la disipación de poder hasta 1,5 vatios son posibles en usos superficiales típicos del soporte.

Grados máximos absolutos

	Parámetro	Máximo.	Unidades
Identificación @ TC =°C 25	Corriente continua del dren, VGS @ -10V	-31	A
Identificación @ TC =°C 100	Corriente continua del dren, VGS @ -10V	-22
IDM	Corriente pulsada del dren

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Voltaje actual 55V del transistor de poder del Mosfet 31A IRFR5305TRPBF para el general del circuito de poder

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Transistor de poder del Mosfet

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Acopladores optos

Voltaje actual 55V del transistor de poder del Mosfet 31A IRFR5305TRPBF para el general del circuito de poder

MOSFET del poder del transistor TO252 55V 31A de IRFR5305TRPBF para el general del circuito de poder

Descripción

irf520 mosfet

p55nfo power mosfet

in5408 diode equivalent