La quinta generación HEXFETs del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar la en-resistencia posible más baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de transferencia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo que los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido para, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para el uso en una amplia variedad de usos.

El SO-8 se ha modificado a través de un leadframe modificado para requisitos particulares para las características aumentadas y la capacidad termales del múltiple-dado que le hacía ideal en una variedad de usos del poder. Con estas mejoras, los dispositivos múltiples se pueden utilizar en un uso con el espacio dramáticamente reducido del tablero. El paquete se diseña para las técnicas que sueldan de la fase de vapor, infrarrojas, o de la onda. La disipación de poder de mayor que 0.8W es posible en un uso típico del soporte del PWB.

Característica

l echnology de la generación V T

l En-resistencia ultrabaja

l Mosfet del P-canal
l soporte de la superficie
l disponible en cinta y carrete

l grado dinámico de dv/dt
l ayuna transferencia

Paquete

Etiquetas de productos:

Paquete actual del transistor IRF7404TRPBF 7.7A SOP8 del Mosfet del canal SMD del voltaje 20V P

Microprocesadores de MCU

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Microprocesadores del sensor

Acopladores optos

Paquete actual del transistor IRF7404TRPBF 7.7A SOP8 del Mosfet del canal SMD del voltaje 20V P

Transistor original del MOSFET del canal 20V 7.7A SMD de IRF7404TRPBF SOP8 P

Descripción

p-channel mosfet sot-23

irf520 mosfet

p channel de mosfet