El microprocesador de memoria Flash de FM24CL04B-GTR 4Kbit ayuna flash serial de dos hilos de la interfaz en serie FRAM
Descripción
El FM24CL04B es una memoria permanente 4-Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio o un F-RAM ferroeléctrica es permanente y se realiza lee y escribe similar a RAM. Proporciona la retención confiable de los datos durante 151 años mientras que elimina las complejidades, los gastos indirectos, y los problemas a nivel sistema de la confiabilidad causados por EEPROM y otras memorias permanentes. A diferencia de EEPROM, el FM24CL04B se realiza escribe operaciones a la velocidad del autobús. Ningún escriba los retrasos se contraen. Los datos se escriben al arsenal de la memoria inmediatamente después que cada byte se transfiere con éxito al dispositivo. El ciclo siguiente del autobús puede comenzar sin la necesidad de la interrogación de los datos. Además, el producto ofrece substancial escribe la resistencia comparada con otras memorias permanentes. También, F-RAM exhibe un poder mucho más bajo durante escribe que EEPROM puesto que escriba las operaciones no requieren un voltaje de fuente de alimentación internamente elevado para escriben los circuitos. El FM24CL04B es capaz de apoyar 1014 ciclos de lectura/grabación, o escribe 100 millones de veces más ciclos que EEPROM. Estas capacidades hacen el ideal para los usos de la memoria permanente, el requerir de FM24CL04B frecuente o rápido escribe. Los ejemplos se extienden de la registración de datos, de donde el número escribe ciclos puede ser crítico, a exigir los controles industriales donde el largos escriben la época de EEPROM pueden causar pérdida de datos. La combinación de características permite una escritura más frecuente de los datos con menos gastos indirectos para el sistema. El FM24CL04B proporciona ventajas sustanciales a los usuarios (I2C) de EEPROM serial como reemplazo de la reunión informal del hardware. Las especificaciones de dispositivo se garantizan sobre una gama de temperaturas industrial de – 40 C a +85 C.
Características
memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica del ■ 4-Kbit (F-RAM) lógicamente
organizado como 512 × 8
la Alto-resistencia 100 trillón del ❐ (1014) leído/escribe
❐ retención de 151 datos del año (véase la retención y la resistencia de los datos
en la página 10)
El ❐ NoDelay™ escribe
Proceso ferroeléctrico de la alto-confiabilidad avanzada del ❐
Interfaz en serie de dos hilos rápida del ■ (I2C)
❐ hasta la frecuencia 1-MHz
Reemplazo directo del hardware del ❐ para (I2C) EEPROM serial
El ❐ apoya las sincronizaciones de la herencia para 100 kilociclos y 400 kilociclos
Bajo consumo de energía del ■
corriente activa del A del ❐ 100 en 100 kilociclos
corriente espera del A (tipo) del ❐ 3
Operación del voltaje del ■: VDD = 2,7 V a 3,65 V
Temperatura industrial del ■: – 40 C a +85 C
paquete de (SOIC) del circuito integrado del esquema del perno del ■ 8 pequeño
Restricción del ■ de las sustancias peligrosas (RoHS) obediente
Usos
Industrial, comunicaciones y establecimiento de una red
