Descripción del grafito PECVD de grado industrial

El grafito PECVD es un componente de grafito de alto rendimiento diseñado específicamente para procesos de deposición de vapor químico mejorados por plasma (PECVD).Grafito de grano fino, proporciona una excelente estabilidad térmica, una conductividad uniforme y bajos niveles de impurezas críticos para ambientes sensibles a la contaminación.Su microestructura optimizada asegura una interacción plasmática constante y una deposición uniforme de la película en todos los sustratosCon una baja expansión térmica y una fuerte resistencia al choque térmico, el grafito PECVD mantiene la integridad dimensional bajo ciclos de temperatura rápidos.Los recubrimientos de superficie opcionales mejoran aún más la resistencia a la oxidación y la vida útilAmpliamente utilizado en la fabricación de semiconductores y sistemas de deposición de película delgada, garantiza un control preciso del proceso, repetibilidad y fiabilidad operativa a largo plazo.

Grado	Densidad a granel (g/cm3)	Resistencia eléctrica (μΩ·m)	Resistencia a la compresión (MPa)	Resistencia a la flexión (MPa)	Dureza de la orilla	Contenido en cenizas (ppm)	Cenizas purificadas: grafitización (ppm)	Ceniza purificada: Producto (ppm)	Coef. de expansión térmica (*10−6/°C)	Conductividad térmica W/m·K	Modulo de Young (GPa)	Aplicaciones
El CDI-1A	1.85	10 a 13	90	45	60	300	50	5	5.5	133	11.5	Semiconductor, zona de calor en la industria fotovoltaica, sinterización cerámica, horno al vacío
El CDI-1B	1.8	10 a 13	86	40	55	300	50	5	5.4	121	10	Semiconductor, zona de calor en la industria fotovoltaica, sinterización cerámica, horno al vacío
El CDI-1C	1.82	El 11 al 15	100	48	58	300	50	5	5.6	120	10.6	Semiconductor, zona de calor en la industria fotovoltaica, sinterización cerámica, horno al vacío
El CDI-1D	1.75	12 a 16.	80	40	58	300	50	5	5.8	108	10	Semiconductor, zona de calor en la industria fotovoltaica, sinterización cerámica, horno al vacío

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