1 - 10 Resultados para transistor d882 A partir de 21 Productos
Circuitos integrados IC D882M TO-252 SMD Transistor d882 NPN CJ/Changdian Changjing Original
Circuitos integrados IC originales y nuevos,D882M TO-252 SMD Transistor d882 NPN CJ/Changdian Changjing original [¿Cuánto?o ¿Qué estamos haciendo?]...
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Evaluación de proveedor
Sitio 2808-2809, Duhuixuan, no. 3018, avenida de Shennan, comunidad de Huahang, calle del norte de Huaqiang, distrito de Futian, Shenzhen
Transistor de poder bipolar del transistor D882 del transistor D882 NPN 30V 3A 90MHz 1W TO-126 a través del agujero
Detalle del producto1. Mercancías comunes, de la orden o recepción de fabricación.2. Orden de la muestra.3. Le contestaremos para su investigación en...
Electrónica Co., Ltd. de Shenzhen Quanyuantong
Evaluación de proveedor
Rm18 B, bloque A, camino de Duhui100 Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen China
Circuito del transistor de D882 NPN, voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de NPN
TO-126 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores D882 (NPN) CARACTERÍSTICA Disipación de poder MARCADO...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Evaluación de proveedor
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de los transistores de poder de la extremidad de RoHS NPN
TO-126 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores D882 (NPN) CARACTERÍSTICA Disipación de poder MARCA Có...
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
Temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte de la superficie de los transistores de la serie de la extremidad B772 alta -55-150
TO-126 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores D882 (NPN) CARACTERÍSTICA Disipación de poder MARCADO Código de...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
plástico de los transistores de poder de la extremidad de 1.25W NPN D882 TO-251-3L - transistores encapsulados
TO-251-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores D882 (NPN) CARACTERÍSTICA Disipación de poder GRADOS...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Circuito del transistor de D882 NPN, voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de NPN
TO-126 Plástico-encapsulan el punto sólido del código de la MARCA D882=Device de la disipación de poder de la CARACTERÍSTICA del TRANSISTOR de los transistores D882 (NPN) = dispositivo verde del compuesto que moldea, si ninguno, el colector a granel del voltaje 40 V VCEO de la Colector-base de la unidad VCBO del valor de parámetro del símbolo de los GRADOS del MÁXIMO del tubo 60pcs/Tube de...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte superficial de los transistores de la serie de la extremidad B772 alta -55-150
TO-126 Plástico-encapsulan el punto sólido del código de la MARCA D882=Device de la disipación de poder de la CARACTERÍSTICA del TRANSISTOR de los transistores D882 (NPN) = dispositivo verde del compuesto que moldea, si ninguno, el colector a granel del voltaje 40 V VCEO de la Colector-base de la unidad VCBO del valor de parámetro del símbolo de los GRADOS del MÁXIMO del tubo 60pcs/Tube de...
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transistores de poder de la extremidad de 1.25W NPN D882 TO-251-3L plásticos - transistores encapsulados
TO-251-3L Plástico-encapsulan la corriente de colector del voltaje 6 V IC de la Emisor-base del voltaje 30 V VEBO del Colector-emisor del voltaje 40 V VCEO de la Colector-base de la unidad VCBO del valor de parámetro del símbolo de los GRADOS del MÁXIMO de la disipación de poder de la CARACTERÍSTICA del TRANSISTOR de los transistores D882 (NPN) (TA =25 Š a menos que se indicare en forma dif...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
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