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Transistor planar epitaxial del silicio del transistor PNP de S8550 SOT-89 0.5A SMD
Transistor planar epitaxial del silicio de S8550 SOT-89 0.5A PNP Transistor planar epitaxial del silicio del transistor PNP de S8550...
Tecnología Co., Ltd. de la electrónica de Guangdong Huixin
Evaluación de proveedor
Parque cibernético de Tianan, camino de No.1 Huangjin, distrito de Nancheng, ciudad de Dongguan, provincia de Guangdong, China
Tipo superficial transistor del transistor BC847B SOT-23 NPN del soporte SMD
Transistor superficial del soporte de BC847B SOT-23 NPN Tipo superficial transistor del transistor BC847B SOT-23 NPN del soporte SMD...
Tecnología Co., Ltd. de la electrónica de Guangdong Huixin
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Parque cibernético de Tianan, camino de No.1 Huangjin, distrito de Nancheng, ciudad de Dongguan, provincia de Guangdong, China
Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd
MOVIMIENTOS del varistor de la protección de la sobretensión de los HEL MYG del CNR EPCOS HARRY KVR de ZOV VDR Voltaje del varistor: 18~180...
Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd
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Sitio 810, unidad 2, edificio 5, centro comercial de Huixing, camino No.1, Zhongshan ciudad Dongguan, GUANGDONG, de Dong, Shilong de Dongsheng NC 523326
El transistor IPD075N03LG de canal N Mosfet TO-252
ISO9001.pdf (en inglés) IPD075N03LG es un transistor MOSFET de canal N. Las siguientes son las aplicaciones, conclusiones y parámetros de este transis...
HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
2515 siglo huiduhuixuan, no. 3078, camino medio de Shennan, calle de Huaqiangbei, distrito de Futian, Shenzhen, China
IPD082N10N3 TO-252 IC Circuito integrado N de canales N Transistor Mosfet
ISO9001.pdf (en inglés) IPD082N10N3 es un transistor MOSFET de canal N. Las siguientes son sus aplicaciones, conclusiones y parámetros:Aplicación:Ut...
HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
2515 siglo huiduhuixuan, no. 3078, camino medio de Shennan, calle de Huaqiangbei, distrito de Futian, Shenzhen, China
Transistor de canal N de Mosfet con IPD80R1K4P7 TO-252
ISO9001.pdf Uso:IPD80R1K4P7 es un transistor del MOSFET del canal N de uso general en los convertidores de gran eficacia de DC-DC y los usos de la fu...
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Alta UL baja del transistor de las pérdidas IGBT de la transferencia del poder IGBT de la estabilidad de DC reconocida
PrimePACK™ 2 1200 V, 600 módulo dual del semipuente IGBT de A con TRENCHSTOP™ IGBT4, emisor controló 4 el diodo, FF600R12IE4 Le han reorientado...
Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
3418, Duhuixuan, avenida de Shennan, distrito de Futian, Shenzhen, provincia de Guangdong, China
IPD50N04S4L-08 Original a estrenar de IC del microprocesador del circuito integrado TO-252 inusitado
ISO9001.pdf Uso:IPD50N04S4L-08 es un transistor de poder del MOSFET del canal N de uso general en circuitos que cambian de alta potencia tales como...
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2515 siglo huiduhuixuan, no. 3078, camino medio de Shennan, calle de Huaqiangbei, distrito de Futian, Shenzhen, China
IPD90P04P4L-04 TO-252 IC Circuito integrado en conductores de motor
ISO9001.pdf (en inglés) Aplicación:IPD90P04P4L-04 se puede usar en fuentes de alimentación de modo de conmutación, controladores de motor y otros circ...
HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
2515 siglo huiduhuixuan, no. 3078, camino medio de Shennan, calle de Huaqiangbei, distrito de Futian, Shenzhen, China
Original a estrenar de IC del microprocesador del circuito integrado de IPD031N06L3G TO-252 inusitado
ISO9001.pdf Uso: IPD031N06L3G es un transistor de alto voltaje del MOSFET ampliamente utilizado en fuentes de alimentación que cambian de alta potenc...
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