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Transistor de poder del Mosfet de 50P03NF TO-252 para la gestión del poder del interruptor de la carga
Transistor de poder del Mosfet de 50P03NF TO-252 para la gestión del poder del interruptor de la carga DESCRIPCIÓN del transistor de poder del M...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Transistor de poder solar del Mosfet de los inversores 6A 20V con alta velocidad de transferencia
Transistor de poder solar del Mosfet de los inversores 6A 20V con alta velocidad de transferencia Descripción del transistor de poder del Mosfe...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Paquete del soporte de la superficie del interruptor del transistor del canal N del modo del aumento/del Mosfet de la lógica
Paquete del soporte de la superficie del interruptor del transistor del canal N del modo del aumento/del Mosfet de la lógica Descripción del transisto...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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transistor de poder del Mosfet de 10A 100V AP10N10DY para las fuentes de alimentación que cambian
transistor de poder del Mosfet de 10A 100V AP10N10DY para las fuentes de alimentación que cambian Descripción del transistor de poder del Mosfet...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Transistor de poder del Mosfet de 50P03NF TO-252 para la gestión del poder del interruptor de la carga
El transistor de poder del Mosfet de 50P03NF TO-252 para la DESCRIPCIÓN del transistor de poder del Mosfet de la gestión del poder del interruptor de la carga El 50P03NF utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar R excelente DS (ENCENDIDO), carga de la puerta y operación bajas con voltajes de la puerta como bajo como 4.5V. Este dispositivo es conveniente para el uso como interrupto...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Transistor de poder solar del Mosfet de los inversores 6A 20V con alta velocidad que cambia
Transistor de poder solar del Mosfet de los inversores 6A 20V con la alta descripción del transistor de poder del Mosfet de la velocidad que cambia: El AP8205S utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga de la puerta y la operación bajas con los voltajes de la puerta tan bajos como 2.5V. Este dispositivo es conveniente para el uso como protecci...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Transferencia del poder medio de los transistores de poder de BD681 NPN Darlington
Transferencia del poder medio de los transistores de poder de BD681 NPN Darlington ■ SALESTYPES PREFERIDO SGS-THOMSON ■ PNP COMPLE...
Anterwell Technology Ltd.
Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Paquete superficial del soporte del interruptor del transistor del canal N del modo del aumento/del Mosfet de la lógica
La descripción superficial del transistor del canal N del paquete del soporte del interruptor del transistor del canal N del modo del aumento/del Mosfet de la lógica El 18N20X utiliza tecnología plana avanzada para proporcionar el Rds excelente (encendido), la carga de la puerta y la operación bajas con voltajes de la puerta como bajo como 2.5V. Este dispositivo es conveniente para el uso como...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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transistor de poder del Mosfet de 10A 100V AP10N10DY para las fuentes de alimentación que cambian
transistor de poder del Mosfet de 10A 100V AP10N10DY para la descripción del transistor de poder del Mosfet de las fuentes de alimentación que cambia: El AP10N10D/Y utiliza tecnología y diseño avanzados del foso para proveer del RDS excelente (ENCENDIDO) la carga baja de la puerta. Puede ser utilizado en una amplia variedad de usos. El transistor de poder del Mosfet ofrece VDS = 100V, identifi...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
INTERRUPTORES DE ALTA VELOCIDAD de los transistores de transferencia del transistor NPN del Mosfet del poder 2N2222A
Transistores de transferencia de NPN 2N2222; 2N2222A CARACTERÍSTICAS • De gran intensidad (máximo 800 mA) • Baja tensión (máximo 40 V)....
Anterwell Technology Ltd.
Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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