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1 - 10 Resultados para smd pnp transistor A partir de 7829 Productos
Semiconductores discretos de los transistores de BC846B 1B SMD SOT23 NPN PNP
Semiconductores discretos de fines generales del transistor SMD SOT23 de BC846B 1B NPN Características• De poca intensidad (máximo 100 m...
DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
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FORTUNA del RM 311 3/F LINZHAN QUE CONSTRUYE EL ÁREA SHENZHEN, CHINA del CAMINO LIUYUE LONGGANG de la CALLE SHENFENG de No.1 SHENHUA
transistor Texas Instruments LM5109BQNGTTQ1 de 15ns 108V NPN PNP
Transistor Texas Instruments /TI LM5109BQNGTTQ1 de NPN PNP Módulo de ECAD Símbolo, huella y modelo 3D del PWB Amenaza...
Yingxinyuan Int'l(Group) Ltd.
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7F, F constructiva, parque tecnológico de Longjing, camino de 335 Bulong, comunidad del mA Antang, calle de Bantian, distrito de Longgang, Shenzhen, China
MMDT3946DW SE DOBLAN el transistor SOT-363 de NPN y de PNP para la amplificación de la energía baja
MMDT3946DW SE DOBLAN EL TRANSISTOR (NPN+PNP) SOT-363 MMDT3946DW SE DOBLAN EL BORRACHÍN 363 del transistor de NPN y de PNP para la amplificación de la energía baja CARACTERÍSTICAS Pares complementarios Un 3904-Type NPN Un 3906-Type PNP Planares epitaxiales mueren construcción Ideal para la amplificación y la transferencia de la energía baja GRADOS MÁXIMOS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma...
Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.
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Parque cibernético de Tianan, camino de No.1 Huangjin, distrito de Nancheng, ciudad de Dongguan, provincia de Guangdong, China
Transistores obsoletos 30V 500mA 200MHz 625mW de BC213L-C NPN PNP a través del montaje del agujero
Transistor bipolar PNP 30V 500mA 200MHz 625mW de los transistores de BC213L-C NPN PNP a través del agujero Amplificador de los fines generales de PNP • Este dispositivo deisgned para el uso como los amplificadores de fines generales e interruptores que requieren corrientes de colector a 300mA. • Originario del proceso 68. • Vea PN200 para las características. Cualidades de producto Seleccione...
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El agrupar actual bipolar del poder 65W HFE de los transistores 100V 6A de TIP42C NPN PNP
Transistor bipolar PNP 100V 6A 65W de los transistores de TIP42C NPN PNP (BJT) Características Dispositivos complementarios del ■ PNP-NPN Nueva serie aumentada del ■ Alta velocidad de transferencia del ■ el agrupar del hFE del ■ linearidades mejoradas hFE del ■ Usos Circuitos de los fines generales del ■ Amplificador audio del ■ Poder del ■ linear y transferencia Descripción El TIP41C es un...
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Transistores 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP a través del agujero al alto rendimiento 220AB
Transistor bipolar PNP 60V 10A 50W de los transistores de D45H8 NPN PNP (BJT) a través del agujero TO-220AB Transistores de poder complementarios Características Voltaje de saturación bajo del colector-emisor del ■ Velocidad de transferencia rápida del ■ Usos Amplificador de potencia del ■ Circuitos de la transferencia del ■ Descripción Los dispositivos se fabrican en tecnología planar epitaxial...
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BORRACHÍN 23 del soporte de la superficie de los transistores 140MHz 625mW de FMMT734TA Darlington NPN PNP 3
Transistor bipolar PNP - soporte SOT-23-3 de los transistores de FMMT734TA NPN PNP (BJT) de la superficie de Darlington 100V 800mA 140MHz 625mW Características de BVCEO > de -100V Alto continuo de la corriente de colector de IC = de -800mA HFE del transistor de Darlington > 20k @ 100mA para el de la alta ganancia La alta ganancia soporta al 5A de la disipación de poder 625mW Tipo...
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Frecuencia de la transición de los transistores de 2SC4793 NPN PNP alta a través del agujero 100 megaciclos
Transistores de poder del silicio NPN de los transistores de 2SC4793 NPN PNP DESCRIPCIÓN ·Con el paquete de TO-220F ·Complemento para mecanografiar 2SA1837 ·Alta frecuencia de la transición USOS ·Usos del amplificador de potencia ·Usos del amplificador de la etapa de conductor Cualidad de producto Valor del atributo Estilo del montaje: A través del agujero Polaridad del transistor: NPN Configuraci...
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transistor Texas Instruments LM5109BQNGTTQ1 de 15ns 108V NPN PNP
Transistor Texas Instruments /TI LM5109BQNGTTQ1 de NPN PNP Módulo de ECAD Símbolo, huella y modelo 3D del PWB Amenaza...
Yingxinyuan Int'l(Group) Ltd.
7F, F constructiva, parque tecnológico de Longjing, camino de 335 Bulong, comunidad del mA Antang, calle de Bantian, distrito de Longgang, Shenzhen, China
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