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Transistor de poder más elevado de 30P06D TO-252, transistor de efecto de campo de encargo
Transistor de poder más elevado de 30P06D TO-252, transistor de efecto de campo de encargo DESCRIPCIÓN del transistor de poder más elevado E...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Evaluación de proveedor
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Cambie el paquete de alto voltaje del transistor de poder de Npn del circuito TIP42C 100V 6A TO220
Los transistores del MOSFET del transistor de poder de TIP42C PNP 100V 6A TO-220 para el interruptor circulan TIP41C TIP42C Descripción...
Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
Sitio 1120, piso 11o, nuevo edificio de Asia Guoli, distrito de Futian, ciudad de Shenzhen, provincia de Guangdong China, cremallera: 518031
Ronda de la lente del claro del transistor de poder del Mosfet de la inmersión F8 F10 660nm/diodo brillantes estupendos de Straw Hat LED
La ficha técnica luminescente del Año Nuevo de DC del diodo del número de parte ILED del diodo de Pin Low Power Consumption Led del precio 3 del Rgb Rgbw del pixel me entra en contacto con por favor tipo uso PCBA Whatsapp 86 - del paquete del soporte de la superficie el detalle 15102073750: Uso: Envío: Término del pago:...
Shenzhen Weitaixu Capacitor Co.,Ltd
9E, bloquean A, plaza de Huaqiang, Huaqiangbei, Futian, Shenzhen, China
Transistor de poder más elevado de 30P06D TO-252, transistor de efecto de campo de encargo
El transistor de poder más elevado de 30P06D TO-252, DESCRIPCIÓN de encargo del transistor de poder más elevado del transistor de efecto de campo El 30P06D utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar R excelente DS (ENCENDIDO) y carga baja de la puerta. Este dispositivo es conveniente para el uso como interruptor de la carga o en usos de PWM. CARACTERÍSTICAS GENERALES del transisto...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Tamaño estándar electrónico del transistor de poder del Mosfet de los componentes 30P03X TO-252
La descripción del transistor de poder del Mosfet del tamaño estándar del transistor de poder del Mosfet de los componentes electrónicos 30P03X TO-252 El 30P03X utiliza tecnología y diseño avanzados del foso para proveer del RDS excelente (ENCENDIDO) el gatecharge bajo. Puede ser utilizada en una amplia variedad de usos. El general del transistor de poder del Mosfet ofrece VDS=-30V, < de I...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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