1 - 10 Resultados para power transistor circuit A partir de 59651 Productos
Voltaje de saturación bajo del circuito VCEO 400V del transistor de poder más elevado 3DD13002B
TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 3DD13002B (NPN) CARACTERÍSTICA Usos de la transferencia del poder...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Evaluación de proveedor
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Transistor de poder de -30V/-50A Npn, circuito del conductor del Mosfet usando el transistor
Transistor de poder de -30V/-50A Npn, circuito del conductor del Mosfet usando el transistor Usos del transistor de poder de Npn DC a los c...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Evaluación de proveedor
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Conmutación de líneas del transistor de poder del Mosfet del canal N 2A 600V para la impulsión del LED
Conmutación de líneas del transistor de poder del Mosfet del canal N 2A 600V para la impulsión del LED Descripción del transistor de poder del M...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Evaluación de proveedor
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Transistor de poder del Mosfet del canal N de AP5N10SI para el sistema con pilas
Transistor de poder del Mosfet del canal N de AP5N10SI para el sistema con pilas Descripción del transistor de poder del Mosfet del canal N:...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Evaluación de proveedor
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Transistor de poder de SI4010-C2-GTR RF - alto rendimiento y confiabilidad
Transistor de poder de SI4010-C2-GTR RF Descripción: El SI4010-C2-GTR es un transistor de poder de alto rendimiento del RF diseñado para...
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
Evaluación de proveedor
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
Voltaje de saturación bajo del circuito VCEO 400V del transistor de poder más elevado 3DD13002B
TO-92 Plástico-encapsulan los transistores que los usos de la transferencia del poder de la CARACTERÍSTICA del TRANSISTOR de 3DD13002B (NPN) QUE MARCAN el sólido del código 13002B=Device dot=Green el dispositivo compuesto que moldea, si ninguno, el voltaje a granel de la Colector-base de la unidad VCBO del valor de parámetro del símbolo de los GRADOS del MÁXIMO de la cinta 2000pcs/Box de la...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Cambie el paquete de alto voltaje del transistor de poder de Npn del circuito TIP42C 100V 6A TO220
Los transistores del MOSFET del transistor de poder de TIP42C PNP 100V 6A TO-220 para el interruptor circulan TIP41C TIP42C Descripción...
Tecnología ltd de la electrónica de Shenzhen ATFU
Sitio 1120, piso 11o, nueva Asia Guoli Building, distrito de Futian, ciudad de Shenzhen, provincia de Guangdong China, cremallera: 518031
Transistor de poder de -30V/-50A Npn, conductor Circuit Using Transistor del Mosfet
El transistor de poder de -30V/-50A Npn, usos DC del transistor de poder de Circuit Using Transistor Npn del conductor del Mosfet a los reguladores del motor de la baja tensión de los convertidores de DC éstos es ampliamente utilizado en los interruptores de la baja tensión que son menos que la descripción -30V/-50A R DS del transistor de poder de 200V Npn (ENCENDIDO) = 10.4mΩ (el tipo.) @V G...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Conmutación de líneas del transistor de poder del Mosfet del canal N 2A 600V para la impulsión del LED
La conmutación de líneas del transistor de poder del Mosfet del canal N 2A 600V para la descripción del transistor de poder del Mosfet de la impulsión del LED El AP50N20D utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta. Los MOSFETs complementarios se pueden utilizar para formar un nivel desplazaron el alto interruptor lateral, y...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Transistor de poder del Mosfet del canal N de AP5N10SI para el sistema con pilas
Transistor de poder del Mosfet del canal N de AP5N10SI para la descripción con pilas del transistor de poder del Mosfet del canal N del sistema: El AP5N10SI es los solos transistores de efecto de campo del poder del modo del aumento de la lógica del canal N para proporcionar R excelente DS (encendido), carga baja de la puerta y resistencia baja de la puerta. Está hasta voltaje de la operación...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Enviar “power transistor circuit”
This supplier has been verified by Everychina.com. Our verification process includes: 3 on-site visits by Everychina.com's service team!
Business license check OK
Consulta enviada exitosamente
Se ha enviado un correo electrónico de confirmación.