Sitio 2808-2809, Duhuixuan, no. 3018, avenida de Shennan, comunidad de Huahang, calle del norte de Huaqiang, distrito de Futian, Shenzhen
1-1473005-1 Conectores AMP de TE Connectivity Zócalo SDRAM DDR SODIMM
1-1473005-1 Conectores AMP de TE Connectivity 1473005 Zócalo SDRAM DDR SODIMM de 200 posiciones Detalles : 200 Posiciones SODIMM DDR SDRAM Sock...
Angel Technology Electronics Co
Evaluación de proveedor
FL16 Construcción costera Bloque Este Distrito de Nanshan Shenzhen China 518000
Chip CI MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D de la memoria de 1GB RDA SDRAM
Se trata de un sistema de almacenamiento de datos de tipo DDR de 1 GB. Encuentre información aquí en stock.xlsx Introducción: El MT29PZZZ8D5WKFMW-18...
co comercial internacional rongxing., limitado
Sitio 10b, 10ª planta, edificio electrónico de la tecnología, norte de Huaqiang, Shenzhen
MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80 - 512MB RDA SDRAM
MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80 - 512MB DDR SDRAM Encuentre información aquí en stock.xlsx Introducción: El MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80 es un módulo DDR SDRAM d...
co comercial internacional rongxing., limitado
Sitio 10b, 10ª planta, edificio electrónico de la tecnología, norte de Huaqiang, Shenzhen
Chip CI MT29RZ2C2DZZMGMF-18 de la memoria de 256MB RDA SDRAM
MT29RZ2C2DZZMGMF-18 - 256MB de memoria DDR SDRAM Encuentre información aquí en stock.xlsx Introducción: El MT29RZ2C2DZZMGMF-18 es un módulo DDR SDRA...
co comercial internacional rongxing., limitado
Sitio 10b, 10ª planta, edificio electrónico de la tecnología, norte de Huaqiang, Shenzhen
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.8 - 128MB RDA SDRAM
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.8 - 128MB RDA SDRAM Introducción: El MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.8 es un módulo de 128MB RDA SDRAM diseñado para el uso en u...
co comercial internacional rongxing., limitado
Sitio 10b, 10ª planta, edificio electrónico de la tecnología, norte de Huaqiang, Shenzhen
Chip CI MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 de la memoria de 512MB RDA SDRAM
MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 - 512MB DDR SDRAM Encuentre información aquí en stock.xlsx Introducción: El MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 es un módulo DDR SDRAM d...
co comercial internacional rongxing., limitado
Sitio 10b, 10ª planta, edificio electrónico de la tecnología, norte de Huaqiang, Shenzhen
Anterwell Technology Ltd.
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Anterwell Technology Ltd.
Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
MT46V16M16TG-75C DOBLAN los circuitos integrados lineares de RDA SDRAM de la TARIFA de DATOS
MT46V16M16TG-75C DOBLAN los circuitos integrados lineares de RDA SDRAM de la TARIFA de DATOS CARACTERÍSTICAS • Reloj de 167 megaciclos, tarifa...
Anterwell Technology Ltd.
Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
MT46V8M16TG-6T IT: D TR Circuito integrado original Chip de circuito integrado DOBLE VELOCIDAD DE DATOS DDR SDRAM
SDRAM DE DOBLE VELOCIDAD DE DATOS (DDR) CARACTERÍSTICAS • Reloj de 167 MHz, velocidad de datos de 333 Mb/s/p • VDD = +2,5 V ±0,2 V,...
Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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