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1 - 10 Resultados para operation of pnp transistor A partir de 10572 Productos
Transistor libre del poder LDMOS del transistor TPS62141RGTR del PB NPN PNP
Transistor Texas Instruments /TI TPS62141RGTR de NPN PNP Vin (minuto) (v) 3 Vin (v) (máximo) 17 Vout (minu...
Yingxinyuan Int'l(Group) Ltd.
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7F, F constructiva, parque tecnológico de Longjing, camino de 335 Bulong, comunidad del mA Antang, calle de Bantian, distrito de Longgang, Shenzhen, China
Voltaje de saturación bajo material del colector del silicio de los transistores de 2SD1899 NPN PNP
Silicio NPN PowerTransistor de los transistores de 2SD1899 NPN PNP DESCRIPCIÓN ·Voltaje de saturación bajo del colector ·avalancha 100% probada ·Variaciones mínimas de la Porción-a-porción para el funcionamiento robusto del dispositivo y la operación confiable USOS ·Altos usos de la frecuencia de la transición Especificaciones Categoría: BJT - fines generales Fabricante: TECNOLOGÍA DE RENESAS...
DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
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FORTUNA del RM 311 3/F LINZHAN QUE CONSTRUYE EL ÁREA SHENZHEN, CHINA del CAMINO LIUYUE LONGGANG de la CALLE SHENFENG de No.1 SHENHUA
Transistores obsoletos 30V 500mA 200MHz 625mW de BC213L-C NPN PNP a través del montaje del agujero
Transistor bipolar PNP 30V 500mA 200MHz 625mW de los transistores de BC213L-C NPN PNP a través del agujero Amplificador de los fines generales de PNP • Este dispositivo deisgned para el uso como los amplificadores de fines generales e interruptores que requieren corrientes de colector a 300mA. • Originario del proceso 68. • Vea PN200 para las características. Cualidades de producto Seleccione...
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El agrupar actual bipolar del poder 65W HFE de los transistores 100V 6A de TIP42C NPN PNP
Transistor bipolar PNP 100V 6A 65W de los transistores de TIP42C NPN PNP (BJT) Características Dispositivos complementarios del ■ PNP-NPN Nueva serie aumentada del ■ Alta velocidad de transferencia del ■ el agrupar del hFE del ■ linearidades mejoradas hFE del ■ Usos Circuitos de los fines generales del ■ Amplificador audio del ■ Poder del ■ linear y transferencia Descripción El TIP41C es un...
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Transistores 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP a través del agujero al alto rendimiento 220AB
Transistor bipolar PNP 60V 10A 50W de los transistores de D45H8 NPN PNP (BJT) a través del agujero TO-220AB Transistores de poder complementarios Características Voltaje de saturación bajo del colector-emisor del ■ Velocidad de transferencia rápida del ■ Usos Amplificador de potencia del ■ Circuitos de la transferencia del ■ Descripción Los dispositivos se fabrican en tecnología planar epitaxial...
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BORRACHÍN 23 del soporte de la superficie de los transistores 140MHz 625mW de FMMT734TA Darlington NPN PNP 3
Transistor bipolar PNP - soporte SOT-23-3 de los transistores de FMMT734TA NPN PNP (BJT) de la superficie de Darlington 100V 800mA 140MHz 625mW Características de BVCEO > de -100V Alto continuo de la corriente de colector de IC = de -800mA HFE del transistor de Darlington > 20k @ 100mA para el de la alta ganancia La alta ganancia soporta al 5A de la disipación de poder 625mW Tipo...
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Transistores bipolares TO-3P de NJW0281G 50W NPN PNP
Transistores bipolares TO-3P NPN-PNP del poder complementario de NJW0281G NJW0281G 250V 15A 150W hfe75-150 y NJW0302G 250V 15A 150W hfe75-150 son...
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Transistor libre del poder LDMOS del transistor TPS62141RGTR del PB NPN PNP
Transistor Texas Instruments /TI TPS62141RGTR de NPN PNP Vin (minuto) (v) 3 Vin (v) (máximo) 17 Vout (minu...
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