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1 - 10 Resultados para npn type transistor A partir de 16111 Productos
Transistores de tipo TIP31CG 3A 100V 40W NPN TIP31C transistores de tipo TIP31C NPN
Los transistores NPN de tipo TIP31CG 3A 100V 40W TIP31C TIP31C TIP31C Transistores de potencia de 3 amperes SILICÓN complementario 40−60−80−100 V, 40...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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Room L, 23rd Floor, Building B, Duhui 100, Zhonghang Rd, Futian District, Shenzhen City, Guangdong
Tipo superficial transistor del transistor BC847B SOT-23 NPN del soporte SMD
Transistor superficial del soporte de BC847B SOT-23 NPN Tipo superficial transistor del transistor BC847B SOT-23 NPN del soporte SMD...
Tecnología Co., Ltd. de la electrónica de Guangdong Huixin
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Parque cibernético de Tianan, camino de No.1 Huangjin, distrito de Nancheng, ciudad de Dongguan, provincia de Guangdong, China
Tipo transistor de S9013 SOT-23 Npn complementario a las linearidades excelentes de S9012 HFE
Transistor de S9013 SOT-23 NPN complementario a S9012 S9013 SOT-23 Datasheet.pdf CARACTERÍSTICAS Elogioso a S9012 Linearidades excelentes del hFE MARCA: J3 GRADOS MÁXIMOS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente) Parámetro Símbolo Valor Unidades Voltaje de la Colector-base VCBO 40 V Voltaje del Colector-emisor VCEO 25 V Voltaje de la Emisor-base VEBO 5 V Corriente de colector - continua...
Tecnología Co., Ltd. de la electrónica de Guangdong Huixin
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Parque cibernético de Tianan, camino de No.1 Huangjin, distrito de Nancheng, ciudad de Dongguan, provincia de Guangdong, China
BUV20 transistores del silicio NPN PNP del ST 40A 300V 250W
BUV20 transistor de gran intensidad TO-3 del silicio del ST 40A NPN 300V 250W Características: PN: BUV20 Tipo: transistor de gran i...
TECNOLOGÍA CO., LTD DE LA ELECTRÓNICA DE LA TIENDA DE DELICATESSEN
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FORTUNA del RM 311 3/F LINZHAN QUE CONSTRUYE EL ÁREA SHENZHEN, CHINA del CAMINO LIUYUE LONGGANG de la CALLE SHENFENG de No.1 SHENHUA
Frecuencia de la transición de los transistores de 2SC4793 NPN PNP alta a través del agujero 100 megaciclos
Transistores de poder del silicio NPN de los transistores de 2SC4793 NPN PNP DESCRIPCIÓN ·Con el paquete de TO-220F ·Complemento para mecanografiar 2SA1837 ·Alta frecuencia de la transición USOS ·Usos del amplificador de potencia ·Usos del amplificador de la etapa de conductor Cualidad de producto Valor del atributo Estilo del montaje: A través del agujero Polaridad del transistor: NPN Configuraci...
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Canal del transistor de poder del Si NPN del transistor de transferencia del poder 6DI30A 120 6
Los transistores 30A, 1200V, 6 de 6DI30A-120 NPN PNP CANALIZAN, NPN, Si, TRANSISTOR de PODER Características eléctricas Colector Actual-máximo (IC) 30A Colector-emisor Voltaje-máximo 1200V Configuración COMPLEJO Aumento-minuto actual de DC (hFE) 70A Caída Tiempo-máxima (tf) 3000 Código JESD-30 R-PUFM-X17 Número de elementos 6 Número de terminales 17 Material del cuerpo del paquete PLASTIC/EPOXY...
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FORTUNA del RM 311 3/F LINZHAN QUE CONSTRUYE EL ÁREA SHENZHEN, CHINA del CAMINO LIUYUE LONGGANG de la CALLE SHENFENG de No.1 SHENHUA
Tipo de fines generales sola configuración del transistor NPN de 2SD2227S 50V DC 0.15A
Transistor de fines generales 50V 0.15A de los transistores de 2SD2227S NPN PNP TRANSISTOR de PODER MEDIO (25V, 1.2V), TRANSISTOR DE FINES GENERALES (50V, 0.15A) Características 1) Alto aumento actual de DC. 2) Alto voltaje de la emisor-base. (VCBO=12V) 3) Voltaje de saturación bajo. (Tipo. VCE (sentado) =0.3V en IC/IB=50mA/5mA) Cualidad de producto Valor del atributo Estilo del montaje: SMD/SMT...
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2SC2987 transistores de poder del silicio NPN, transistor de poder más elevado de 120W 20A
Transistores de poder del silicio NPN de los transistores de 2SC2987 NPN PNP DESCRIPCIÓN ·Con el paquete de TO-3PN ·Complemento para mecanografiar 2SA1227 ·Disipación de poder más elevado USOS ·Para los usos del amplificador de potencia de la frecuencia de audio FIJACIÓN DESCRIPCIÓN DEL PIN 1 base 2Collector; conectado con el montaje de la base Emisor 3 Grados máximos absolutos (Ta=25℃) SÍMBOLO...
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BORRACHÍN 23 del soporte de la superficie de los transistores 140MHz 625mW de FMMT734TA Darlington NPN PNP 3
Transistor bipolar PNP - soporte SOT-23-3 de los transistores de FMMT734TA NPN PNP (BJT) de la superficie de Darlington 100V 800mA 140MHz 625mW Características de BVCEO > de -100V Alto continuo de la corriente de colector de IC = de -800mA HFE del transistor de Darlington > 20k @ 100mA para el de la alta ganancia La alta ganancia soporta al 5A de la disipación de poder 625mW Tipo...
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