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1 - 10 Resultados para nand flash memory A partir de 10003 Productos
CYEL16B256-133SXE 256Mbit 133 MHz Tolerancia a la radiación QSPI NOR Chip IC de memoria flash para NewSpace
CYEL16B256-133SXE Chip de memoria IC 256Mbit QSPI o memoria flash para NewSpace Intolerante a la radiación, altamente confiable, con una pequeña hue...
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
Evaluación de proveedor
1239 nueva Asia Guoli Building Zhenzhong Road. , Distrito Shenzhen China de Futian
CYEL17B512-133AZM 512Mbit Radiation Tolerant NOR Chip de memoria flash con interfaz QSPI TQFP100
CYEL17B512-133AZM Chip de circuito integrado de memoria 512 Mbit de tolerancia a la radiación o chip de memoria flash TQFP100 Resumen del producto E...
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
Evaluación de proveedor
1239 nueva Asia Guoli Building Zhenzhong Road. , Distrito Shenzhen China de Futian
IS21ES08G-JCLI 8gb Nand Flash Memory Chip 3.3V 200Mhz
EMMC NAND Flash Memory Data Storage del eMMC 8GB 3.3V 200Mhz de IS21ES08G-JCLI CARACTERÍSTICAS • Memoria Flash embalada del NAND con el interf...
Walton Electronics Co., Ltd.
Evaluación de proveedor
5C, D constructiva, distrito de la GALAXIA WORLD.Longhua, Shenzhen.CN
Regulador multi de la tarjeta del PESO del micrón MTFC4GACAJCN-1M de IC del microprocesador de memoria Flash del NAND medios
Micrón de destello de IC del microprocesador del regulador de MultiMediaCard (MMC) del PESO de MTFC4GACAJCN-1M y de memoria Flash del NAND DESCRIPCION...
Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
Sitio 1120, piso 11o, nuevo edificio de Asia Guoli, distrito de Futian, ciudad de Shenzhen, provincia de Guangdong China, cremallera: 518031
IS21ES08G-JCLI 8gb Nand Flash Memory Chip 3.3V 200Mhz
EMMC NAND Flash Memory Data Storage del eMMC 8GB 3.3V 200Mhz de IS21ES08G-JCLI CARACTERÍSTICAS • Memoria Flash embalada del NAND con el interf...
Walton Electronics Co., Ltd.
5C, D constructiva, distrito de la GALAXIA WORLD.Longhua, Shenzhen.CN
8 interfaz electrónico mordido NAND Flash Memory de la entrada-salida de los circuitos integrados ×8 del ECC del GB 1
8 GB, 1 ECC del pedazo, ×8 entrada-salida, 3 V VCC, NAND Flash Memory para la descripción general Embedded el Cypress S34ML08G1 8-Gb NAND se ofrecen en 3,3 interfaz de la entrada-salida de VCCwith x8. Este documento contiene la información para el dispositivo S34ML08G1, que es una pila del dual-dado de dos S34ML04G1 muere. Para las especificaciones detalladas, refiera por favor a discreto muere...
Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
3418, Duhuixuan, avenida de Shennan, distrito de Futian, Shenzhen, provincia de Guangdong, China
Chip IC de memoria Flash K9K8G08U0B-PCB0 Nand 1G X 8/2G X 8 bits
Array...
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED
B5 plano 1/F., Manning Ind. Edificio, 116-118 cómo Ming Street, pinzas de Kwun, Kowloon, Hong Kong
NAND256W3A2BN6E STMicroelectronics 256 Mbit NAND Flash Memory
Circuitos integrados electrónicos de STMicroelectronics de MEMORIA FLASH de NAND256W3A2BN6E NAND. Estilo de la instalación: SMD/SMTPaquete/caja: TSOP...
Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
3418, Duhuixuan, avenida de Shennan, distrito de Futian, Shenzhen, provincia de Guangdong, China
K9K8G08U0M-PCB0 Chip IC programable TSOP48 NAND Memoria flash IC
Descripción del Producto: IC de memoria flash NAND K9K8G08U0M-PCB0 TSOP48 El chip IC programable es un tipo de componente electrónico de circuito...
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED
B5 plano 1/F., Manning Ind. Edificio, 116-118 cómo Ming Street, pinzas de Kwun, Kowloon, Hong Kong
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