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1 - 10 Resultados para mosfet power amplifier A partir de 24159 Productos

Detector de vacío interno Unicomp de rayos X de semiconductores de potencia MOSFET de enfoque de inclinación unilateral de 130kV ±60° ≤7μm

China Detector de vacío interno Unicomp de rayos X de semiconductores de potencia MOSFET de enfoque de inclinación unilateral de 130kV ±60° ≤7μm on sale
130kV ± 60° inclinación unilateral ≤7μm enfoque MOSFET potencia semiconductor rayos X AX9100 Unicomp Detector de vacío interno El detector de vacío...
Unicomp Technology
Evaluación de proveedor
Edificio A, ciencia y parque industrial de la tecnología, camino de no. 9 Bangkai, parque industrial de alta tecnología, distrito de Guangming, Shenzhen de Bangkai

AD8062ARZ Power Mosfet Transistor Rail-to-Rail Amplificadores ic chip mosfet amplificadores de potencia

China AD8062ARZ Power Mosfet Transistor Rail-to-Rail Amplificadores ic chip mosfet amplificadores de potencia on sale
Array...
ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd
Evaluación de proveedor
Sala 1204, Edificio Internacional DingCheng, 518028 Distrito Futian, SHENZHEN, CN

Original de la clase AB TO-247 del amplificador de potencia del Mosfet 200V de IC 1-Channel del amplificador de LME49830 LME49830TB mono

China Original de la clase AB TO-247 del amplificador de potencia del Mosfet 200V de IC 1-Channel del amplificador de LME49830 LME49830TB mono on sale
Detalle del producto Empaquetado Tubo Situación de la parte Obsoleto Tipo Clase AB Tipo de la salida 1-Channel (mono) Voltaje - fuente ±...
Shenzhen Quanyuantong Electronics Co., Ltd.
Evaluación de proveedor
Rm18 B, bloquean A, camino de Duhui100 Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen China

IRLU024NPBF MOSFET Power Electronics MOSFET confiables de alto rendimiento para administración de energía

China IRLU024NPBF MOSFET Power Electronics MOSFET confiables de alto rendimiento para administración de energía on sale
IRLU024NPBF MOSFET Power Electronics MOSFET confiables de alto rendimiento para administración de energía Descripción: la vi...
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
Evaluación de proveedor
1702, edificio internacional de Dingcheng, camino de Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen

Manejo de la potencia aumentado En-resistencia baja del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRLML2803TRPBF

China Manejo de la potencia aumentado En-resistencia baja del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRLML2803TRPBF on sale
Manejo de la potencia aumentado En-resistencia baja del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRLML2803TRPBF Descri...
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
Evaluación de proveedor
1702, edificio internacional de Dingcheng, camino de Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen

Amplificadores de potencia del mosfet del chip CI de los amplificadores del Carril-a-carril del transistor del Mosfet del poder de AD8062ARZ

China Amplificadores de potencia del mosfet del chip CI de los amplificadores del Carril-a-carril del transistor del Mosfet del poder de AD8062ARZ on sale
AD8062ARZ Low Cost, 300 MHz Amplificadores de riel a riel CARACTERISTICAS Bajo costo Individual (AD8061), dual (AD8062) Individual con deshabili...
Anterwell Technology Ltd.
Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China

Transistor de poder del Mosfet de RD100HHF1 25A 12.5W para los amplificadores de poder más elevado del HF

China Transistor de poder del Mosfet de RD100HHF1 25A 12.5W para los amplificadores de poder más elevado del HF on sale
El tipo transistor del MOSFET RD100HHF1 diseñó específicamente para los usos de los amplificadores de poder más elevado del HF CARACTERÍSTICAS • Poder más elevado y alta ganancia: Pout>100W, Gp>11.5dB @Vdd=12.5V, f=30MHz • Eficacia alta: banda de HF 60%typ.on USO Para la etapa de la salida de los amplificadores de poder más elevado en sistemas de radio móviles de la banda de HF. Lista de otros...
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
C12F, plaza de Huaqiang, Huaqiangbei Shenzhen, China 518031

Transistor de poder del Mosfet de RD100HHF1 25A 12.5W para los amplificadores de poder más elevado del HF

China Transistor de poder del Mosfet de RD100HHF1 25A 12.5W para los amplificadores de poder más elevado del HF on sale
El tipo transistor del MOSFET RD100HHF1 diseñó específicamente para los usos de los amplificadores de poder más elevado del HF CARACTERÍSTICAS...
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
C12F, plaza de Huaqiang, Huaqiangbei Shenzhen, China 518031

El módulo de poder del Mosfet MHL21336 IC parte el amplificador linear del RF LDMOS de la banda 3G

China El módulo de poder del Mosfet MHL21336 IC parte el amplificador linear del RF LDMOS de la banda 3G on sale
El módulo de poder del Mosfet MHL21336 IC parte el amplificador linear del RF LDMOS de la banda 3G amplificador linear del RF LDMOS de l...
Anterwell Technology Ltd.
Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China

Usos bipolares de la transferencia del amplificador del transistor de poder del Mosfet de Darlington TIP142

China Usos bipolares de la transferencia del amplificador del transistor de poder del Mosfet de Darlington TIP142 on sale
Transistor de poder bipolar del Mosfet de Darlington TIP142 para los usos del amplificador y de la transferencia TIP140, TIP141, TIP142, (NPN); TI...
Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
Sitio 1120, piso 11o, nuevo edificio de Asia Guoli, distrito de Futian, ciudad de Shenzhen, provincia de Guangdong China, cremallera: 518031
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