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1 - 10 Resultados para mosfet power amplifier A partir de 24043 Productos
Original de la clase AB TO-247 del amplificador de potencia del Mosfet 200V de IC 1-Channel del amplificador de LME49830 LME49830TB mono
Detalle del producto Empaquetado Tubo Situación de la parte Obsoleto Tipo Clase AB Tipo de la salida 1-Channel (mono) Voltaje - fuente ±...
Electrónica Co., Ltd. de Shenzhen Quanyuantong
Evaluación de proveedor
Rm18 B, bloque A, camino de Duhui100 Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen China
IRLU024NPBF MOSFET Power Electronics MOSFET confiables de alto rendimiento para administración de energía
IRLU024NPBF MOSFET Power Electronics MOSFET confiables de alto rendimiento para administración de energía Descripción: la vi...
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
Evaluación de proveedor
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
Manejo de la potencia aumentado En-resistencia baja del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRLML2803TRPBF
Manejo de la potencia aumentado En-resistencia baja del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de IRLML2803TRPBF Descri...
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
Evaluación de proveedor
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
Amplificadores de potencia del mosfet del chip CI de los amplificadores del Carril-a-carril del transistor del Mosfet del poder de AD8062ARZ
AD8062ARZ Low Cost, 300 MHz Amplificadores de riel a riel CARACTERISTICAS Bajo costo Individual (AD8061), dual (AD8062) Individual con deshabili...
Anterwell Technology Ltd.
Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
AD8062ARZ Power Mosfet Transistor Rail-to-Rail Amplificadores ic chip mosfet amplificadores de potencia
Array...
Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Transistor de poder del Mosfet de RD100HHF1 25A 12.5W para los amplificadores de poder más elevado del HF
El tipo transistor del MOSFET RD100HHF1 diseñó específicamente para los usos de los amplificadores de poder más elevado del HF CARACTERÍSTICAS • Poder más elevado y alta ganancia: Pout>100W, Gp>11.5dB @Vdd=12.5V, f=30MHz • Eficacia alta: banda de HF 60%typ.on USO Para la etapa de la salida de los amplificadores de poder más elevado en sistemas de radio móviles de la banda de HF. Lista de otros...
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
C12F, plaza de Huaqiang, Huaqiangbei Shenzhen, China 518031
Transistor de poder del Mosfet de RD100HHF1 25A 12.5W para los amplificadores de poder más elevado del HF
El tipo transistor del MOSFET RD100HHF1 diseñó específicamente para los usos de los amplificadores de poder más elevado del HF CARACTERÍSTICAS...
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
C12F, plaza de Huaqiang, Huaqiangbei Shenzhen, China 518031
El módulo de poder del Mosfet MHL21336 IC parte el amplificador linear del RF LDMOS de la banda 3G
El módulo de poder del Mosfet MHL21336 IC parte el amplificador linear del RF LDMOS de la banda 3G amplificador linear del RF LDMOS de l...
Anterwell Technology Ltd.
Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Usos bipolares de la transferencia del amplificador del transistor de poder del Mosfet de Darlington TIP142
Transistor de poder bipolar del Mosfet de Darlington TIP142 para los usos del amplificador y de la transferencia TIP140, TIP141, TIP142, (NPN); TI...
Tecnología ltd de la electrónica de Shenzhen ATFU
Sitio 1120, piso 11o, nueva Asia Guoli Building, distrito de Futian, ciudad de Shenzhen, provincia de Guangdong China, cremallera: 518031
Poder más elevado Amplier D.P.P del módulo de poder del Mosfet del ST STK2240 Af. Serie
Poder más elevado Amplier D.P.P del módulo de poder del Mosfet del ST STK2240 Af. Serie Características La etapa general de la sa...
Anterwell Technology Ltd.
Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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