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1 - 10 Resultados para medium power transistor A partir de 24849 Productos
Interruptor del Mosfet del canal N de la resistencia termal, transistor de poder medio
AOD418/AOI418 MOSFET del canal N 30V Descripción general La tecnología avanzada del foso de las aplicaciones AOD418/AOI418 a proporcione...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Evaluación de proveedor
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
transistores de poder medio de 80V 1A SOT89 BCX56-10 NPN
Transistores de poder medio de BCX56-10# 80V 1A 1.25W NPN SOT89 Características ■De gran intensidad ■Dos selecciones del aumento actual ■...
TECNOLOGÍA CO., LTD DE LA ELECTRÓNICA DE LA TIENDA DE DELICATESSEN
Evaluación de proveedor
FORTUNA del RM 311 3/F LINZHAN QUE CONSTRUYE EL ÁREA SHENZHEN, CHINA del CAMINO LIUYUE LONGGANG de la CALLE SHENFENG de No.1 SHENHUA
Transistor de potencia RF HMC442LC3BTR: ideal para aplicaciones de alta velocidad
Producto: Transistores de poder de HMC442LC3BTR RF Descripción: El HMC442LC3BTR es una alta ganancia, poder medio GaN en sic el FET...
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
Evaluación de proveedor
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
TRANSISTORES de PODER MEDIO PLANARES del SILICIO del transistor NPN del Mosfet IC del poder BCX56
TRANSISTORES DE PODER MEDIO PLANARES DEL SILICIO DE SOT89 NPN BCX56 DESCRIPCIÓN Voltaje de la Colector-base: 10...
Anterwell Technology Ltd.
Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
BCX56-16,147 Power Mosfet IC Transistor NPN SILICIO PLANAR TRANSISTORES DE POTENCIA MEDIA
Array...
Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Mosfet audio PLANAR del poder del smd del mosfet del poder de los TRANSISTORES de PODER MEDIO del SILICIO de ZTX753 PNP
TRANSISTORES DE PODER MEDIO PLANARES DEL SILICIO DE ZTX753 PNP CARACTERÍSTICAS * 100 voltios VCEO * corriente continua de 2 amperios * v...
Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Mosfet PLANAR del poder del SILICIO de ZTX653 que cambia NPN (TRANSISTORES de PODER MEDIO)
ZTX653Mosfet PLANAR del poder del SILICIO de NPN que cambia (TRANSISTORES de PODER MEDIO) CARACTERÍSTICAS * 100 voltios VCEO * corriente...
Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Interruptor del Mosfet del canal N de la resistencia termal, transistor de poder medio
La descripción general del MOSFET del canal N de AOD418/AOI418 30V El AOD418/AOI418 utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar R excelente DS (ENCENDIDO), carga baja de la puerta y resistencia baja de la puerta. Con la resistencia termal excelente del paquete de DPAK/IPAK, este dispositivo está bien adaptado para los usos de gran intensidad de la carga. Polaridad del paquete de la s...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Complemento bajo PBSS4160T del transistor de poder del Mosfet de NPN VCEsat PNP
Transistor bajo de PBSS4160T NPN VCEsat en SOT23 un complemento plástico del paquete PNP a PBSS5160T CARACTERÍSTICAS • Voltaje de saturación bajo de...
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
C12F, plaza de Huaqiang, Huaqiangbei Shenzhen, China 518031
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