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El FE dopó la oblea negra amarilla LiTaO3 para el almacenamiento de información olográfico de alta densidad

China El FE dopó la oblea negra amarilla LiTaO3 para el almacenamiento de información olográfico de alta densidad on sale
El FE dopó la oblea negra amarilla LiTaO3 para el tantalato olográfico de alta densidad del litio del almacenamiento de información (LiTa03) es ampliamente utilizado en los campos ópticos para la modulación óptica, la grabación óptica, y la conversión de frecuencia debido a sus efectos electrópticos, acustópticos, piezoeléctricos, termal-ópticos y photorefractive. Con la demanda rápi...
Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.
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Habitación 1106, CIBC, No.198, calle Wuxing, Hangzhou, República Popular China

El FE dopó la oblea del tantalato del litio para el almacenamiento de información olográfico de alta densidad

China El FE dopó la oblea del tantalato del litio para el almacenamiento de información olográfico de alta densidad on sale
El FE dopó la oblea negra amarilla del tantalato del litio para el tantalato olográfico de alta densidad del litio del almacenamiento de información (LiTa03) es ampliamente utilizado en los campos ópticos para la modulación óptica, la grabación óptica, y la conversión de frecuencia debido a sus efectos electrópticos, acustópticos, piezoeléctricos, termal-ópticos y photorefractive. Con...
Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.
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El FE dopó la oblea del tantalato del litio para el almacenamiento de información olográfico de alta densidad

China El FE dopó la oblea del tantalato del litio para el almacenamiento de información olográfico de alta densidad on sale
El FE dopó la oblea negra amarilla del tantalato del litio para el almacenamiento de información olográfico de alta densidad El tantalato del lit...
Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.
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Almacenamiento de datos de memoria Flash del micrón MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109

China Almacenamiento de datos de memoria Flash del micrón MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109 on sale
Almacenamiento de datos de memoria Flash del micrón MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109...
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
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Centro A-702, camino del sur de China de no. 1, Shenzhen, China de la logística internacional

Almacenamiento de datos de memoria Flash KMFN60012B-B214 SAMSUNG SMD

China Almacenamiento de datos de memoria Flash KMFN60012B-B214 SAMSUNG SMD on sale
Almacenamiento de datos de memoria Flash de KMFN60012B-B214 SAMSUNG SMD...
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
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Centro A-702, camino del sur de China de no. 1, Shenzhen, China de la logística internacional

OEM en doble canal del arreglo para requisitos particulares de la ayuda del servidor NF5466M6 4U del almacenamiento de datos de Inspur del negocio

China OEM en doble canal del arreglo para requisitos particulares de la ayuda del servidor NF5466M6 4U del almacenamiento de datos de Inspur del negocio on sale
Servidor NF5466M6 4U del almacenamiento de datos de Inspur del negocio en doble canal el servidor de la optimización del almacenamiento de la traye...
Beijing Guangtian Runze Technology Co., Ltd.
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Sitio 405, edificio 14, yarda 38, área del sur de Groenlandia Zhongyang por favor, Pekín China.

Disco de memoria flash de alta capacidad de transmisión rápida dispositivo portátil de almacenamiento de datos USB

China Disco de memoria flash de alta capacidad de transmisión rápida dispositivo portátil de almacenamiento de datos USB on sale
Disco de memoria flash Portabilidad Alta capacidad Transmisión rápida y versatilidad Y es un dispositivo de almacenamiento de datos muy práctico E...
China Chips Star Semiconductor Co., Ltd.
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Habitación 401-404, Unidad 1, Edificio B, Edificio 8, Parque Industrial Creativo Huaqiang, Comunidad Biyan, Calle Guangming, Distrito Guangming.

Almacenamiento de datos de memoria Flash del micrón MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109

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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
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Almacenamiento de datos de memoria Flash KMFN60012B-B214 SAMSUNG SMD

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Almacenamiento de datos de memoria Flash de KMFN60012B-B214 SAMSUNG SMD...
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
Centro A-702, camino del sur de China de no. 1, Shenzhen, China de la logística internacional

Tensión 1.7V - 2V Memoria de circuito integrado 2Gb para almacenamiento eficiente de datos

China Tensión 1.7V - 2V Memoria de circuito integrado 2Gb para almacenamiento eficiente de datos on sale
Descripción del producto:Los dispositivos de almacenamiento de circuitos integrados están especialmente diseñados para aplicaciones de alto rendimien...
Shenzhen Xinyuanpeng Technology Co., Ltd.
4E, no. 3, camino de Shenfeng, comunidad de Liuyue, calle de Henggang, distrito de Longgang, Shenzhen
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