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Transistor original del canal de P/transistor de alto voltaje 50P06D TO-252
Transistor original del canal de P/transistor de alto voltaje 50P06D TO-252 DESCRIPCIÓN del transistor del canal de P El foso avanzado de...
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Transistor del nivel de la lógica del paquete de TO-220-3L/transistor de alto voltaje 100V
Transistor del nivel de la lógica del paquete de TO-220-3L/transistor de alto voltaje 100V Usos llanos del transistor de la lógica Interru...
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Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V
MOSFET complementario de HXY4616 30V Descripción Las aplicaciones HXY4616 avanzadas trench tecnología al RDS provideexcellent (ENCENDIDO)...
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Transistor de poder de alto voltaje de la frecuencia ultraelevada del transistor/AP10H03DF del Mosfet del OEM
Transistor de poder de alto voltaje de la frecuencia ultraelevada del transistor/AP10H03DF del Mosfet del OEM Descripción de alto voltaje del tr...
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Transistor de gran intensidad de AP30N10D, transistor de efecto de campo de 30A 100V TO-252
Transistor de gran intensidad de AP30N10D, transistor de efecto de campo de 30A 100V TO-252 Tipos de gran intensidad del transistor Los MO...
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Transistor original del canal de P/transistor de alto voltaje 50P06D TO-252
El transistor original del canal de P/la DESCRIPCIÓN de alto voltaje del transistor del canal del transistor 50P06D TO-252 P El 50P06D utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar R excelente DS (ENCENDIDO) y carga baja de la puerta. Este dispositivo es conveniente para el uso como interruptor de la carga o en transistor del canal de los usos P de PWM EL GENERAL OFRECE V DS = - 60V, &l...
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Transistor del nivel de la lógica del paquete de TO-220-3L/transistor de alto voltaje 100V
El transistor del nivel de la lógica del paquete de TO-220-3L/los usos de alto voltaje del transistor del nivel de la lógica del transistor 100V descripción automotriz cambia, del dólar y del transistor del nivel de la lógica de los usos de la rectificación de los sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS) de los pequeños de motor de control del interruptor del modo de alimentación de...
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Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V
La descripción complementaria del MOSFET de HXY4616 30V El HXY4616 utiliza tecnología avanzada del foso al RDS provideexcellent (ENCENDIDO) y a la carga baja de la puerta. Ideal de los configurationis del MOSFET del canal de Thiscomplementary N y de P para los usos bajos del inversor del voltaje entrado. Características eléctricas del canal N (T=25°C a menos que se indicare en forma diferente...
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Transistor de poder de alto voltaje de la frecuencia ultraelevada del transistor/AP10H03DF del Mosfet del OEM
Descripción de alto voltaje de alto voltaje del transistor del Mosfet del transistor de poder de la frecuencia ultraelevada del transistor/AP10H03DF del Mosfet del OEM: El AP10H03DF es los MOSFETs del N-ch del foso del rendimiento más alto con alta densidad de célula extrema, que proporcionan RDSON excelente y la carga de la puerta para la mayor parte de los pequeños usos del interruptor y del...
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Transistor de gran intensidad de AP30N10D, transistor de efecto de campo de 30A 100V TO-252
El transistor de gran intensidad de AP30N10D, tipos de gran intensidad MOSFETs del transistor del transistor de efecto de campo de 30A 100V TO-252 puede ser de diversos tipos, incluyendo: Modo de agotamiento: Normalmente ENCENDIDO. La aplicación del VGS lo apagaría. Modo del aumento: Normalmente APAGADO. La aplicación del VGS lo giraría. MOSFETs del canal N: voltajes y corrientes positivos. MO...
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