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1 - 10 Resultados para high speed mosfet A partir de 100009 Productos
JY213H 600V controlador de puerta de tres fases IC.
IC controlador de puerta trifásico JY213H 600V | Controlador de MOSFET y IGBT de alta velocidad Descripción general El JY213H es un controlador de...
Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd
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No. 1, carril 1199, camino yunping, distrito jiading, Shangai, China
JY213L CI de controlador de puerta trifásico de 90V con controlador MOSFET e IGBT de alta velocidad y control de tiempo muerto incorporado para control de motor BLDC
JY213L 90V controlador de puertas trifásicas IC ∙ MOSFET de alta velocidad y controlador IGBT para control de motor BLDC JY213L - IC de conductor de...
Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd
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JUYI JY213H BLDC motor conductor MOSFET / IGBT conductor de alta velocidad 3 - fase media - puente
Conductor trifásico de alto voltaje de la puerta de JY213H con el lado independiente del cielo y tierra tres referido canales de salida...
Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd
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MOSFET de alta velocidad de potencia IGBT controlador de puertas de alta tensión de 3 fases
MOSFET de alta velocidad de potencia y controlador IGBT controlador de puertas de alta tensión de 3 fases Descripción El JY213H es u...
Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd
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Exactitud RoHS TO-220F obediente del Mosfet 650V 10A del alto voltaje del canal N alta
Exactitud RoHS TO-220F obediente del Mosfet 650V 10A del alto voltaje del canal N alta Usos Adaptador y cargador Poder espera de SMPS Fuente de alimentación de la transferencia de AC-DC Poder de conducción del LED Características Punto bajo en resistencia Carga baja de la puerta Corriente máxima contra curva de la anchura de pulso RoHS obediente Información el ordenar Número de parte: H10N65...
Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.
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Parque cibernético de Tianan, camino de No.1 Huangjin, distrito de Nancheng, ciudad de Dongguan, provincia de Guangdong, China
Transistor sin plomo del Mosfet del canal N, transistor de alta velocidad IRF640NPBF del Mosfet de 200V 18A
Canal N 200V 18A del transporte de la INMERSIÓN de IRF640NPBF que cambia el transistor de poder del MOSFET Descripción El MOSFET s del pod...
Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
Sitio 1120, piso 11o, nuevo edificio de Asia Guoli, distrito de Futian, ciudad de Shenzhen, provincia de Guangdong China, cremallera: 518031
Shenzhen Hunt Electronics Co., Ltd
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Shenzhen Hunt Electronics Co., Ltd
Room 353, 3/F Wangcheng Building, Longguan East Road, Longhua District, Shenzhen, PRC
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