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1 - 10 Resultados para high speed mosfet A partir de 100000 Productos
JUYI JY213H BLDC motor conductor MOSFET / IGBT conductor de alta velocidad 3 - fase media - puente
Conductor trifásico de alto voltaje de la puerta de JY213H con el lado independiente del cielo y tierra tres referido canales de salida...
Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd
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No. 1, carril 1199, camino yunping, distrito jiading, Shangai, China
Transistor de poder del Mosfet del alto rendimiento con alta densidad de célula extrema
Transistor de poder del Mosfet del rendimiento más alto con alta densidad de célula extrema Descripción de la característica del transistor de...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
el interruptor de gran intensidad/10A 600V del Mosfet de 10N60 K-MTQ se dobla interruptor del Mosfet
MOSFET del PODER de 10N60 K-MTQ 10A 600VN-CHANNEL DESCRIPCIÓN El UTC 10N60K-MTQ es un MOSFET de alto voltaje del poder diseñado para tener me...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Alto transistor de poder del Mosfet de la velocidad de transferencia para las fuentes de alimentación lineares
Alto transistor de poder del Mosfet de la velocidad de transferencia para las fuentes de alimentación lineares del Descripción general...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Transistor sin plomo del Mosfet del canal N, transistor de alta velocidad IRF640NPBF del Mosfet de 200V 18A
Canal N 200V 18A del transporte de la INMERSIÓN de IRF640NPBF que cambia el transistor de poder del MOSFET Descripción El MOSFET s del pod...
Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
Sitio 1120, piso 11o, nuevo edificio de Asia Guoli, distrito de Futian, ciudad de Shenzhen, provincia de Guangdong China, cremallera: 518031
Transistor de poder del Mosfet del alto rendimiento con alta densidad de célula extrema
Transistor de poder del Mosfet del rendimiento más alto con la alta descripción extrema de la característica del transistor de poder del Mosfet de la densidad de célula es un MOSFET de alto voltaje del poder diseñado para tener mejores características, tales como tiempo que cambia rápido, carga baja de la puerta, resistencia baja del en-estado y altas características rugosas de la avalanch...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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interruptor dual de gran intensidad del Mosfet del interruptor/10A 600V del Mosfet de 10N60 K-MTQ
la DESCRIPCIÓN del MOSFET del PODER de 10N60 K-MTQ 10A 600VN-CHANNEL El UTC 10N60K-MTQ es un MOSFET de alto voltaje del poder diseñado para tener mejores características, tales como tiempo que cambia rápido, carga baja de la puerta, resistencia baja del en-estado y altas características rugosas de la avalancha. Este MOSFET del poder se utiliza generalmente en usos que cambian de alta velocida...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Shenzhen Hunt Electronics Co., Ltd
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Shenzhen Hunt Electronics Co., Ltd
Room 353, 3/F Wangcheng Building, Longguan East Road, Longhua District, Shenzhen, PRC
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Alto transistor de poder del Mosfet de la velocidad que cambia para las fuentes de alimentación lineares
El alto transistor de poder del Mosfet de la velocidad que cambia para el alimentación linear del fuente la descripción general • Tecnología del MOSFET del poder del foso • R bajo DS (ENCENDIDO) • Conducción del nivel de la lógica • RoHS y uso obediente Halógeno-libre • Polaridad industrial y del motor de la impulsión de los usos de los parámetros del número de parte de la s...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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