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Transistor de poder más elevado de 30P06D TO-252, transistor de efecto de campo de encargo
Transistor de poder más elevado de 30P06D TO-252, transistor de efecto de campo de encargo DESCRIPCIÓN del transistor de poder más elevado E...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Transistor de poder más elevado de 30P06D TO-252, transistor de efecto de campo de encargo
El transistor de poder más elevado de 30P06D TO-252, DESCRIPCIÓN de encargo del transistor de poder más elevado del transistor de efecto de campo El 30P06D utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar R excelente DS (ENCENDIDO) y carga baja de la puerta. Este dispositivo es conveniente para el uso como interruptor de la carga o en usos de PWM. CARACTERÍSTICAS GENERALES del transisto...
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Canal N Mos Field Effect Transistor, transistor de poder más elevado -30V/-80A
Canal N Mos Field Effect Transistor, mΩ 3,8 de Mos Field Effect Transistor Description -30V/-80A R DS del canal N del transistor de poder más elevado -30V/-80A (ENCENDIDO) = (tipo.) @V mΩ 6,2 del GS = de -10V R DS (ENCENDIDO) = (tipo.) el @V la avalancha 100% del GS = de -4.5V probó a la gestión disponible confiable y rugosa del poder del uso de la transferencia de Mos Field Effect Transistor...
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