1 - 10 Resultados para high power npn transistor A partir de 338436 Productos
Transistor de gran intensidad de A92 NPN, transistor del silicio del poder más elevado NPN
SOT-89-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores A92 (NPN) CARACTERÍSTICA Voltaje de saturación bajo del Colector-emi...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Evaluación de proveedor
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Transistor por encargo de Npn del poder más elevado, transistor de transferencia rápido 12A
AOD442G MOSFET del canal N 60V Descripción general El MOSFET avanzado del foso de la cosechadora AOD444/AOI444 tecnología con un paquet...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Evaluación de proveedor
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Transistor por encargo de Npn del poder más elevado, transistor que cambia rápido 12A
Descripción general del MOSFET del canal N de AOD442G 60V la tecnología avanzada del MOSFET del foso de la cosechadora AOD444/AOI444 con un paquete bajo de la resistencia para proporcionar extremadamente - R bajo DS (ENCENDIDO). Esos dispositivos son convenientes para el uso en PWM, la transferencia de la carga y usos de fines generales. Polaridad del paquete de la situación del número de part...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
TIP3055 transistores del mosfet del poder más elevado de los transistores de poder del silicio NPN
TIP3055 transistores del mosfet del poder más elevado de los transistores de poder del silicio NPN Características Voltaje de saturación bajo del...
Anterwell Technology Ltd.
Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Transistores del mosfet del poder más elevado de MJD112T4G, transistores de poder complementarios de Darlington
Transistores del mosfet del poder más elevado de MJD112T4G, transistores de poder complementarios de Darlington MJD112 (NPN) MJD117 (PNP)...
Anterwell Technology Ltd.
Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
TIP3055 transistores del mosfet del poder más elevado de los transistores de poder del silicio NPN
TIP3055 transistores del mosfet del poder más elevado de los transistores de poder del silicio NPN Características ■Voltaje de saturación bajo del...
Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Transistor de gran intensidad de A92 NPN, transistor del silicio del poder más elevado NPN
SOT-89-3L Plástico-encapsulan marca baja del voltaje de avería del voltaje de saturación del Colector-emisor de la CARACTERÍSTICA del TRANSISTOR de los transistores A92 (NPN) la alta: Corriente de colector continua actual del ICM de colector -200 mA del voltaje -5 V IC de la Emisor-base del voltaje -305 V VEBO del Colector-emisor del voltaje -310 V VCEO de la Colector-base de la unidad VCBO de...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Transistores del mosfet del poder más elevado de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementaria
Transistores del mosfet del poder más elevado de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementaria MJD112 (NPN) MJD117 (PNP) Darl...
Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
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Transistor del Mosfet del poder más elevado del transistor de poder de BD442 PNP/Mosfet Ic del poder
Transistores del mosfet del poder más elevado del transistor de poder de BD442 PNP Características ■Transistor de PNP Usos ■Equipo i...
Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
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Transistores del mosfet del poder más elevado de MMBT4403LT1G que cambian, transistores de poder del silicio de PNP
Transistores del mosfet del poder más elevado de MMBT4403LT1G que cambian, transistores de poder del silicio de PNP Transistores de alto voltajeSil...
Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
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