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1 - 10 Resultados para high frequency transistor A partir de 98580 Productos
MOSFET de carburo de silicio industrial Transistor de alta frecuencia multipropósito
MOSFET de carburo de silicio industrial Transistor de alta frecuencia multipropósito Descripción del producto: ElMOSFET de carburo de siliciotiene u...
Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Evaluación de proveedor
- No, no es así.7, XingRong Road, ciudad de ShiJie, ciudad de Dongguan, provincia de Guangdong, China
Semiconductores industriales basados en silicio, transistores de alta frecuencia multipropósito
Transistores de alta frecuencia y alta frecuencia de alta tensión para inversores solares Descripción del producto: El semiconductor de alta potenci...
Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.
Evaluación de proveedor
405,4F, B2 Bldg, Tian'an Cyber Park, No.1 Huangjin Road, distrito de Nancheng, ciudad de Dongguan, provincia de Guangdong
Transistor de efecto de campo TIP112, transistor de alta frecuencia
TO-220-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores TIP112 DARLINGTON (NPN) CARACTERÍSTICA Alto aumento actual de DC: hFE=...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Evaluación de proveedor
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Transistor de efecto de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frecuencia
BAV19W~BAV21W SWITCHINGDIODESOD-123 SOD-123Plastic-EncapsulateDiodes CARACTERÍSTICA Corriente reversa baja Paquete superficial del s...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Evaluación de proveedor
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Transistor de efecto de campo TIP112, transistor de alta frecuencia
TO-220-3L Plástico-encapsulan aumento actual de DC de la CARACTERÍSTICA del TRANSISTOR de los transistores TIP112 DARLINGTON (NPN) el alto: hFE=1000 @ VCE=4V, corriente de colector MÁXIMA del voltaje 5 V IC de la Emisor-base del voltaje 100 V VEBO del Colector-emisor del voltaje 100 V VCEO de la Colector-base de la unidad VCBO del valor de parámetro del símbolo de los GRADOS del Colector-emis...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Transistor de efecto de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frecuencia
El paquete superficial actual reverso bajo del soporte de la CARACTERÍSTICA de BAV19W~BAV21W SWITCHINGDIODESOD-123 SOD-123Plastic-EncapsulateDiodes adecuado idealmente para la velocidad de transferencia rápida de la inserción automática para los usos que cambian de fines generales que marcan los cates del barindi de la marca el sólido del cátodo dot=Green el dispositivo del compuesto del mol...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
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