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1 - 10 Resultados para gate bipolar transistor A partir de 26958 Productos
IKW40N65H5 aisló los transistores bipolares 650V 74A 250W del transistor IGBT de la puerta
IKW40N65H5 IKW25N120T2 IHW20N120R5 IKW50N60H3 aisló el transistor bipolar de la puerta Usos •Solarconverters •Uninterruptiblepowersupplies •We...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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Room L, 23rd Floor, Building B, Duhui 100, Zhonghang Rd, Futian District, Shenzhen City, Guangdong
General Electric DS200IIBDG1AEA DS200IIBDG1A GE aislado bloquea el tablero bipolar del transistor
Producto: General Electric DS200IIBDG1AEA DS200IIBDG1A GE aisló el tablero bipolar del transistor de la puerta GE aisló el tablero bipolar del transi...
Joyoung International Trading Co.,Ltd
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Apartamento 917A 9/F torre una nueva plaza de mandarines no14 museo de la ciencia RD TSIM SHA TSUI Hong Kong
IKW40N120T2 aisló el transistor bipolar IGBT 40A 1200V 480W de la puerta para los convertidores
IKW40N120T2 IKW40N120CS6XKSA1 IKW50N65H5 IKA10N65ET6 aisló el transistor bipolar de la puerta Usos Convertidores de frecuencia Fuente de aliment...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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Transistor bipolar aislado FGH40N60SFD de la puerta
FGH40N60SFD FGH60N60SFDTU FGH40N120ANTU FGH40N65UFDTU aisló el transistor bipolar de la puerta Usos • Cargadores automotrices, convertidores, auxi...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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STGW80H65DFB aisló el transistor bipolar 650V 80A 469W del transistor IGBT de la puerta
STGW80H65DFB aisló los transistores bipolares del transistor 650V 80A 469W IGBT de la puerta Usos • Inversores fotovoltaicos • Convertidores de a...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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KUP40H12R4-7M Ensamblaje de módulos de transistores bipolares de puertas aisladas para la gestión de energía
KUP40H12R4-7M Ensamblaje de transistores bipolares de puertas aisladas La solución definitiva para la gestión de energía Descripción del producto: E...
Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.
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RM 708, Edificio A, No. 5, calle Keji No. 2, lago Songshan, Dongguan, República Popular China
Canal N bipolar aislado módulo del silicio del transistor de la puerta del tiristor GT20J101
GT20J101 TOSHIBA aisló el canal N bipolar IGBT del silicio del transistor de la puerta Usos que cambian del poder más elevado • La 3ra generación • Aumento-modo • Velocidad: tf = 0,30 µs (máximos) • Voltaje de saturación bajo: VCE (sentado) = 2,7 V (máximos) Característica Símbolo Grado Unidad voltaje del Colector-emisor VCES 600 V voltaje del Puerta-emisor VGES +-20 V Corriente de colector DC IC...
TECNOLOGÍA CO., LTD DE LA ELECTRÓNICA DE LA TIENDA DE DELICATESSEN
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FORTUNA del RM 311 3/F LINZHAN QUE CONSTRUYE EL ÁREA SHENZHEN, CHINA del CAMINO LIUYUE LONGGANG de la CALLE SHENFENG de No.1 SHENHUA
Canal N ultrarrápido del transistor de IGBT, transistor bipolar aislado de la puerta con construido en diodo
Canal N ultrarrápido del transistor de G40N60UFD IGBT con construido en el diodo 600V 40A 160W, TO-3P Descripciones: La serie del UFD de Fairc...
Tecnología ltd de la electrónica de Shenzhen ATFU
Sitio 1120, piso 11o, nueva Asia Guoli Building, distrito de Futian, ciudad de Shenzhen, provincia de Guangdong China, cremallera: 518031
El transistor del Mosfet del poder de MGW12N120D aisló el transistor bipolar de la puerta con el diodo antiparalelo
Transistor bipolar aislado de la puerta con el diodo antiparaleloPuerta de silicio del Aumento-modo del canal N IGBT Y DIODO EN TO-247 12 A @ 90°C...
Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
TRANSISTOR BIPOLAR AISLADO transistor de la PUERTA del Mosfet del poder de GP4068D
IRGP4068DPbF IRGP4068D-EPbF TRANSISTOR BIPOLAR AISLADO DE LA PUERTA CON EL DIODO VF ULTRA-BAJO PARA LA CALEFACCIÓN DE LA INDUCCIÓN Y LOS APLICAC...
Anterwell Technology Ltd.
Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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