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Estructura vertical linear 3403D-U-V del transistor de efecto de campo del MOS del poder
Estructura vertical linear 3403D-U-V del transistor de efecto de campo del MOS del poder Descripción del transistor de efecto de campo del MOS...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Gestión clasificada del poder de los sistemas del inversor del transistor de efecto de campo del MOS de la avalancha
Gestión clasificada del poder de los sistemas del inversor del transistor de efecto de campo del MOS de la avalancha Descripción del transistor...
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Transistor de efecto de campo/Mosfet confiables y rugosos el de alta frecuencia
Transistor de efecto de campo/Mosfet confiables y rugosos el de alta frecuencia Característica del transistor de efecto de campo 40V/250A...
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Transistor de efecto de campo por encargo del MOS con punto bajo en resistencia del estado
Transistor de efecto de campo por encargo del MOS con punto bajo en resistencia del estado Característica del transistor de efecto de campo del...
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Estructura linear 3403D-U-V de Mos Field Effect Transistor Vertical del poder
La estructura linear 3403D-U-V Mos Field Effect Transistor Description Mos Field Effect Transistor de Mos Field Effect Transistor Vertical del poder se utiliza en muchos fuente de alimentación y los usos del poder general, especialmente como interruptores. S variable incluye los MOSFETs planares, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs y otras diversas marcas de fábrica. Mos Field Effect Transistor Featur...
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Gestión clasificada del poder de los sistemas de Mos Field Effect Transistor Inverter de la avalancha
La gestión clasificada Mos Field Effect Transistor Description del poder de los sistemas de Mos Field Effect Transistor Inverter de la avalancha Mos Field Effect Transistor es un tipo de MOSFET. El principio de funcionamiento del MOSFET del poder es similar al MOSFET general. Los MOSFETS del poder son muy especiales dirigir el nivel de poderes. Muestra la alta velocidad que cambia y comparando co...
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Transistor de efecto de campo confiable y rugoso/Mosfet de alta frecuencia
El transistor de efecto de campo confiable y rugoso/la característica de alta frecuencia 40V/250A R DS del transistor de efecto de campo del Mosfet (EN) = la avalancha 100% del de m (tipo.) @ V GS =10V probó los usos rugosos del transistor de efecto de campo de FreeandGreenDevicesAvailable de la ventaja de Reliableand (RoHSCompliant) que cambiaban a la gestión del poder del uso para los...
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Punto bajo por encargo de Mos Field Effect Transistor With en resistencia del estado
El punto bajo por encargo de Mos Field Effect Transistor With en la resistencia Mos Field Effect Transistor Feature -60V/-40A R DS del estado (ENCENDIDO) = (tipo.) el @V 19mΩ GS = -10V R DS (ENCENDIDO) = (tipo.) el @V 25mΩ la avalancha 100% del GS = de -4.5V probó el halógeno confiable y rugoso libre y a la gestión disponible del poder de Mos Field Effect Transistor Applications de los dispos...
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Semiconductores discretos IRFS3207ZTRRPBF del Mosfet del transistor de efecto de campo del canal N
Canal N discreto de los semiconductores IRFS3207ZTRRPBF del transistor de efecto de campo de los transistores del MOSFET Gama de productos Ca...
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
ST MONGKOKKL DE REY COMM CRT 2-16 FAYUEN DE RM4,16/F HO
transistor de poder más elevado 150A, 40V canal N Mos Field Effect Transistor
el transistor de poder más elevado 150A, 40V canal N Mos Field Effect Transistor High que los usos del transistor de poder accionan tecnología de MOSEFET es aplicable a muchos tipos de circuito. Los usos incluyen: Las fuentes de alimentación lineares que cambiaban la característica 40V/150A R DS del transistor de poder más elevado del control de motor de la baja tensión de los convertidores...
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