Business license check OK
1 - 10 Resultados para field effect transistor A partir de 12618 Productos
Estructura vertical linear 3403D-U-V del transistor de efecto de campo del MOS del poder
Estructura vertical linear 3403D-U-V del transistor de efecto de campo del MOS del poder Descripción del transistor de efecto de campo del MOS...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Evaluación de proveedor
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Gestión clasificada del poder de los sistemas del inversor del transistor de efecto de campo del MOS de la avalancha
Gestión clasificada del poder de los sistemas del inversor del transistor de efecto de campo del MOS de la avalancha Descripción del transistor...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Evaluación de proveedor
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Transistor de efecto de campo/Mosfet confiables y rugosos el de alta frecuencia
Transistor de efecto de campo/Mosfet confiables y rugosos el de alta frecuencia Característica del transistor de efecto de campo 40V/250A...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Evaluación de proveedor
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Transistor de efecto de campo por encargo del MOS con punto bajo en resistencia del estado
Transistor de efecto de campo por encargo del MOS con punto bajo en resistencia del estado Característica del transistor de efecto de campo del...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Evaluación de proveedor
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Estructura linear 3403D-U-V de Mos Field Effect Transistor Vertical del poder
La estructura linear 3403D-U-V Mos Field Effect Transistor Description Mos Field Effect Transistor de Mos Field Effect Transistor Vertical del poder se utiliza en muchos fuente de alimentación y los usos del poder general, especialmente como interruptores. S variable incluye los MOSFETs planares, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs y otras diversas marcas de fábrica. Mos Field Effect Transistor Featur...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Gestión clasificada del poder de los sistemas de Mos Field Effect Transistor Inverter de la avalancha
La gestión clasificada Mos Field Effect Transistor Description del poder de los sistemas de Mos Field Effect Transistor Inverter de la avalancha Mos Field Effect Transistor es un tipo de MOSFET. El principio de funcionamiento del MOSFET del poder es similar al MOSFET general. Los MOSFETS del poder son muy especiales dirigir el nivel de poderes. Muestra la alta velocidad que cambia y comparando co...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Transistor de efecto de campo confiable y rugoso/Mosfet de alta frecuencia
El transistor de efecto de campo confiable y rugoso/la característica de alta frecuencia 40V/250A R DS del transistor de efecto de campo del Mosfet (EN) = la avalancha 100% del de m (tipo.) @ V GS =10V probó los usos rugosos del transistor de efecto de campo de FreeandGreenDevicesAvailable de la ventaja de Reliableand (RoHSCompliant) que cambiaban a la gestión del poder del uso para los...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Punto bajo por encargo de Mos Field Effect Transistor With en resistencia del estado
El punto bajo por encargo de Mos Field Effect Transistor With en la resistencia Mos Field Effect Transistor Feature -60V/-40A R DS del estado (ENCENDIDO) = (tipo.) el @V 19mΩ GS = -10V R DS (ENCENDIDO) = (tipo.) el @V 25mΩ la avalancha 100% del GS = de -4.5V probó el halógeno confiable y rugoso libre y a la gestión disponible del poder de Mos Field Effect Transistor Applications de los dispos...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Semiconductores discretos IRFS3207ZTRRPBF del Mosfet del transistor de efecto de campo del canal N
Canal N discreto de los semiconductores IRFS3207ZTRRPBF del transistor de efecto de campo de los transistores del MOSFET Gama de productos Ca...
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
ST MONGKOKKL DE REY COMM CRT 2-16 FAYUEN DE RM4,16/F HO
Configuraciones Mos Field Effect Transistor N de V/modo del aumento del canal de P
Las configuraciones Mos Field Effect Transistor N de V/la tecnología del MOSFET de Mos Field Effect Transistor Introduction del modo del aumento del canal de P es ideales para el uso en muchos usos del poder, donde el interruptor bajo en resistencia permite a niveles de la eficacia ser logrado. Hay varias diversas variedades de MOSFET del poder disponibles de diversos fabricantes, de cada uno con...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Enviar “field effect transistor”
This supplier has been verified by Everychina.com. Our verification process includes: 3 on-site visits by Everychina.com's service team!
Business license check OK
