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1 - 10 Resultados para fast switching transistor A partir de 10714 Productos
Transistor de poder de MMBTA56 NPN Darlington, transistor de transferencia rápido NPN
SOT-23 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores MMBTA56 (NPN) CARACTERÍSTICA l usos de fines generales del amplificador Mar...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Evaluación de proveedor
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Transistor por encargo de Npn del poder más elevado, transistor de transferencia rápido 12A
AOD442G MOSFET del canal N 60V Descripción general El MOSFET avanzado del foso de la cosechadora AOD444/AOI444 tecnología con un paquet...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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El transistor del Mosfet del canal de IRF9540NPBF P, 100V 23A ayuna transistor de transferencia
P canaliza alto poder del MOSFET del transistor de transferencia de IRF9540NPBF TO-220 100V 23A Descripción La quinta generación HEXFET s del...
Tecnología ltd de la electrónica de Shenzhen ATFU
Sitio 1120, piso 11o, nueva Asia Guoli Building, distrito de Futian, ciudad de Shenzhen, provincia de Guangdong China, cremallera: 518031
Transistor del Mosfet del canal de IRF9540NPBF P, transistor de transferencia rápido de 100V 23A
Poder del MOSFET del transistor de transferencia del canal IRF9540NPBF TO-220 100V 23A de P altoDescripción La quinta generación HEXFET s del...
Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
BVDSS 25V - Mosfet de gran intensidad 30V, en el transistor de transferencia rápido de la resistencia del estado
Mosfet BVDSS del transistor de poder del Mosfet DMHT3006LFJ-13 V-DFN5045-12: La descripción 25V-30V este MOSFET se diseña para minimizar la resistencia del en-estado (el RDS (ENCENDIDO)), con todo mantenga el funcionamiento que cambia superior, haciéndola ideal para los usos de la gestión del poder de la eficacia alta. & totalmente sin plomo entrado bajo del de la capacitancia del b...
Condensador Co., Ltd de Shenzhen Weitaixu
9E, bloque A, plaza de Huaqiang, Huaqiangbei, Futian, Shenzhen, China
Transistor por encargo de Npn del poder más elevado, transistor que cambia rápido 12A
Descripción general del MOSFET del canal N de AOD442G 60V la tecnología avanzada del MOSFET del foso de la cosechadora AOD444/AOI444 con un paquete bajo de la resistencia para proporcionar extremadamente - R bajo DS (ENCENDIDO). Esos dispositivos son convenientes para el uso en PWM, la transferencia de la carga y usos de fines generales. Polaridad del paquete de la situación del número de part...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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MMBTA56 NPN Darlington Power Transistor, transistor que cambia rápido NPN
SOT-23 Plástico-encapsulan la CARACTERÍSTICA l marca de fines generales del TRANSISTOR de los transistores MMBTA56 (NPN) de los usos del amplificador: Resistencia termal del mW RΘJA de la disipación de poder del colector de la PC de la corriente de colector del voltaje -4 V IC de la Emisor-base del voltaje -80 V VEBO del Colector-emisor del voltaje -80 V VCEO de la Colector-base de la unidad V...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Tiempo que cambia rápido Mos Field Effect Transistor, transistor del interruptor
El tiempo que cambia rápido Mos Field Effect Transistor, transistor Mos Field Effect Transistor Description Mos Field Effect Transistor del interruptor se utiliza en muchos fuente de alimentación y los usos del poder general, especialmente como interruptores. S variable incluye los MOSFETs planares, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs y otras diversas marcas de fábrica. Canal N P - canal Vds = 30V Vd...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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