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1 - 10 Resultados para difference between npn pnp A partir de 4637 Productos
El agrupar actual bipolar del poder 65W HFE de los transistores 100V 6A de TIP42C NPN PNP
Transistor bipolar PNP 100V 6A 65W de los transistores de TIP42C NPN PNP (BJT) Características Dispositivos complementarios del ■ PNP-NPN Nueva serie aumentada del ■ Alta velocidad de transferencia del ■ el agrupar del hFE del ■ linearidades mejoradas hFE del ■ Usos Circuitos de los fines generales del ■ Amplificador audio del ■ Poder del ■ linear y transferencia Descripción El TIP41C es un...
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FORTUNA del RM 311 3/F LINZHAN QUE CONSTRUYE EL ÁREA SHENZHEN, CHINA del CAMINO LIUYUE LONGGANG de la CALLE SHENFENG de No.1 SHENHUA
El resistor de PIMN31 NPN/de PNP equipó el transistor dual de la puerta del mA 50V del transistor 500
Los transistores de PIMN31 NPN PNP 500 mA, 50 V NPN/NPN doblan el transistor resistor-equipado 1. Favorable fi le del producto 1,1 descripción general 500 mA, 50 V NPN/NPN doblan el transistor Resistor-equipado (RET) en un pequeño SOT457 (SC-74) Superficie-montó el paquete del plástico de (SMD) del dispositivo. 1,2 características Capacidad de la corriente de salida de I 500 mA I resistores...
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BORRACHÍN 23 del soporte de la superficie de los transistores 140MHz 625mW de FMMT734TA Darlington NPN PNP 3
Transistor bipolar PNP - soporte SOT-23-3 de los transistores de FMMT734TA NPN PNP (BJT) de la superficie de Darlington 100V 800mA 140MHz 625mW Características de BVCEO > de -100V Alto continuo de la corriente de colector de IC = de -800mA HFE del transistor de Darlington > 20k @ 100mA para el de la alta ganancia La alta ganancia soporta al 5A de la disipación de poder 625mW Tipo...
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Transistores obsoletos 30V 500mA 200MHz 625mW de BC213L-C NPN PNP a través del montaje del agujero
Transistor bipolar PNP 30V 500mA 200MHz 625mW de los transistores de BC213L-C NPN PNP a través del agujero Amplificador de los fines generales de PNP • Este dispositivo deisgned para el uso como los amplificadores de fines generales e interruptores que requieren corrientes de colector a 300mA. • Originario del proceso 68. • Vea PN200 para las características. Cualidades de producto Seleccione...
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Frecuencia de la transición de los transistores de 2SC4793 NPN PNP alta a través del agujero 100 megaciclos
Transistores de poder del silicio NPN de los transistores de 2SC4793 NPN PNP DESCRIPCIÓN ·Con el paquete de TO-220F ·Complemento para mecanografiar 2SA1837 ·Alta frecuencia de la transición USOS ·Usos del amplificador de potencia ·Usos del amplificador de la etapa de conductor Cualidad de producto Valor del atributo Estilo del montaje: A través del agujero Polaridad del transistor: NPN Configuraci...
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Transistores 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP a través del agujero al alto rendimiento 220AB
Transistor bipolar PNP 60V 10A 50W de los transistores de D45H8 NPN PNP (BJT) a través del agujero TO-220AB Transistores de poder complementarios Características Voltaje de saturación bajo del colector-emisor del ■ Velocidad de transferencia rápida del ■ Usos Amplificador de potencia del ■ Circuitos de la transferencia del ■ Descripción Los dispositivos se fabrican en tecnología planar epitaxial...
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Voltaje de saturación bajo material del colector del silicio de los transistores de 2SD1899 NPN PNP
Silicio NPN PowerTransistor de los transistores de 2SD1899 NPN PNP DESCRIPCIÓN ·Voltaje de saturación bajo del colector ·avalancha 100% probada ·Variaciones mínimas de la Porción-a-porción para el funcionamiento robusto del dispositivo y la operación confiable USOS ·Altos usos de la frecuencia de la transición Especificaciones Categoría: BJT - fines generales Fabricante: TECNOLOGÍA DE RENESAS...
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