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1 - 10 Resultados para ddr ii sdram A partir de 586 Productos
1-1473005-1 Conectores AMP de TE Connectivity Zócalo SDRAM DDR SODIMM
1-1473005-1 Conectores AMP de TE Connectivity 1473005 Zócalo SDRAM DDR SODIMM de 200 posiciones Detalles : 200 Posiciones SODIMM DDR SDRAM Sock...
Angel Technology Electronics Co
Evaluación de proveedor
FL16 Construcción costera Bloque Este Distrito de Nanshan Shenzhen China 518000
Paquete FBGA-96 ROHS de K4B4G1646E-BYMA Samsung RDA SDRAM
RDA SDRAM K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA Fabricante Samsung MFR.Part #K4B4G1646E-BYMA Pieza #C500275 de JLCPCB PackageFBGA-96 De...
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Evaluación de proveedor
Sitio 2808-2809, Duhuixuan, no. 3018, avenida de Shennan, comunidad de Huahang, calle del norte de Huaqiang, distrito de Futian, Shenzhen
Circuito integrado ic del regulador de la terminación del microprocesador DDR-II del circuito integrado de LP2997MRX
Regulador de la terminación de LP2997 DDR-II Descripción general El regulador linear LP2997 se diseña para resolver las especificaciones d...
Anterwell Technology Ltd.
Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
LP2997MRX Circuito integrado Chip DDR-II Terminación Regulador circuito integrado ic
Regulador de terminación DDR-II LP2997 Descripción general El regulador lineal LP2997 está diseñado para cumplir con las especificac...
Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Registro de la terminación de IC PMIC DDR-II de la gestión de la trayectoria del poder de LP2997MRX/NOPB
Registro de la terminación de IC PMIC DDR-II de la gestión de la trayectoria del poder de LP2997MRX/NOPB CARACTERÍSTICAS Fuente y corriente...
Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Gestión IC PMIC DDR-I de la trayectoria del poder de LP2998MRX/NOPB y registro de la terminación de DDR-II
Gestión IC PMIC DDR-I de la trayectoria del poder de LP2998MRX/NOPB y registro de la terminación de DDR-II Características 1 Dirección...
Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
K4H561638H-UCB3 especificación electrónica de RDA SDRAM del H-dado de los chips CI 256Mb
K4H560438H K4H560838H K4H561638H especificación de RDA SDRAM del H-dado 256Mb 66 TSOP-II con Pb-libre (RoHS obediente) Característic...
Anterwell Technology Ltd.
Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Chip CI MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D de la memoria de 1GB RDA SDRAM
Se trata de un sistema de almacenamiento de datos de tipo DDR de 1 GB. Encuentre información aquí en stock.xlsx Introducción: El MT29PZZZ8D5WKFMW-18...
co comercial internacional rongxing., limitado
Sitio 10b, 10ª planta, edificio electrónico de la tecnología, norte de Huaqiang, Shenzhen
MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80 - 512MB RDA SDRAM
MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80 - 512MB DDR SDRAM Encuentre información aquí en stock.xlsx Introducción: El MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80 es un módulo DDR SDRAM d...
co comercial internacional rongxing., limitado
Sitio 10b, 10ª planta, edificio electrónico de la tecnología, norte de Huaqiang, Shenzhen
Chip CI MT29RZ2C2DZZMGMF-18 de la memoria de 256MB RDA SDRAM
MT29RZ2C2DZZMGMF-18 - 256MB de memoria DDR SDRAM Encuentre información aquí en stock.xlsx Introducción: El MT29RZ2C2DZZMGMF-18 es un módulo DDR SDRA...
co comercial internacional rongxing., limitado
Sitio 10b, 10ª planta, edificio electrónico de la tecnología, norte de Huaqiang, Shenzhen
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