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1 - 10 Resultados para broken silicon wafer A partir de 1278 Productos
Wafer de 4 pulgadas de Si Dia 100mm espesor 350um Orientación <100> DSP SSP Wafer de silicio personalizado tipo N tipo P
Las partículas de silicio que se encuentran en el substrato de silicio, incluidas las partículas de silicio de 100 mm, 110 mm, 111 mm, 1 mm, 2 mm, 3 m...
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Oblea de silicio de IC con la llanura <50um ningunos defectos
Descripción de producto: Oblea de silicio de IC Nuestras obleas de silicio de alta calidad de IC se hacen del material superior del silicio y está...
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Pruebe la oblea de silicio monocristalina del grado, alta oblea de silicio de la resistencia
la oblea del sillicon de la prima de la oblea de semiconductor 6inch, lente óptica del sillicon, substratos del sillicon de IC, oblea polivinílica del...
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3 oblea de silicio de la pulgada de diámetro 76.2m m IC, oblea de silicio pulida solo lado
la oblea primera del sillicon de 3 pulgadas, lente óptica del sillicon, substratos del sillicon de IC, oblea polivinílica del sillicon, semiconductor...
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Wafer de silicio de 8 pulgadas de diámetro 200 mm <111> espesor 700um P tipo N tipo de pulido único pulido doble
Descripción del producto Wafer de silicio de 8 pulgadas Diámetro 200 mm espesor 700um P Tipo N Tipo de pulido único Polido doble Las obleas de silici...
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El lado doble pulió la lente modificada para requisitos particulares del Si de la oblea de silicio de IC para la lente óptica
la oblea del sillicon de la prima de la oblea de semiconductor 6inch, lente óptica del sillicon, substratos del sillicon de IC, oblea polivinílica del...
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El boro dopó la oblea de silicio dopada fósforo con la alta resistencia para el semiconductor
El boro dopó la oblea de silicio dopada fósforo con la alta resistencia para las obleas de silicio del semiconductor es rebanadas finas de silicio crystalized puro. Estas formas puras de obleas normalmente se llaman oblea de silicio sin impurificar o intrínseca. Una de las razones de usar la oblea de silicio en industria del semiconductor es la abundancia natural de silicio. Es una del material...
Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.
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Habitación 1106, CIBC, No.198, calle Wuxing, Hangzhou, República Popular China
Oferta de silicio personalizada de 4 pulgadas (100 mm): espesor de 350 μm, orientación <100>, DSP/SSP, dopaje tipo N/P
Descripción de la oblea de Si Las obleas de silicio son discos finos y planos hechos de silicio de cristal único altamente purificado, ampliamente u...
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Oblea cuadrada de silicio con portador laminado con película para investigación avanzada de CI, semiconductores y cuántica
Wafer de silicio cuadrado con portador laminado con película para investigación avanzada de IC, semiconductores y cuánticos Resumen del producto ZMS...
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2" a 12" tipo tipo oblea de P de N de silicio con la alta resistencia para el semiconductor
2" a 12" tipo tipo oblea de P de N de silicio con la alta resistencia para las obleas de silicio de la producción de BonTek del semiconductor (12 pulgadas o menos) para los semiconductores de una manera integrada que se extiende de los solos lingotes cristalinos al proceso de la oblea. Hemos establecido el sistema de abastecimiento principalmente para las obleas producidas en serie para los circu...
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