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Paquete FBGA-96 ROHS de K4B4G1646E-BYMA Samsung RDA SDRAM
RDA SDRAM K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA Fabricante Samsung MFR.Part #K4B4G1646E-BYMA Pieza #C500275 de JLCPCB PackageFBGA-96 De...
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Evaluación de proveedor
Sitio 2808-2809, Duhuixuan, no. 3018, avenida de Shennan, comunidad de Huahang, calle del norte de Huaqiang, distrito de Futian, Shenzhen
1-1473005-1 Conectores AMP de TE Connectivity Zócalo SDRAM DDR SODIMM
1-1473005-1 Conectores AMP de TE Connectivity 1473005 Zócalo SDRAM DDR SODIMM de 200 posiciones Detalles : 200 Posiciones SODIMM DDR SDRAM Sock...
Angel Technology Electronics Co
Evaluación de proveedor
FL16 Construcción costera Bloque Este Distrito de Nanshan Shenzhen China 518000
Chip CI MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D de la memoria de 1GB RDA SDRAM
Se trata de un sistema de almacenamiento de datos de tipo DDR de 1 GB. Encuentre información aquí en stock.xlsx Introducción: El MT29PZZZ8D5WKFMW-18...
co comercial internacional rongxing., limitado
Sitio 10b, 10ª planta, edificio electrónico de la tecnología, norte de Huaqiang, Shenzhen
MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80 - 512MB RDA SDRAM
MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80 - 512MB DDR SDRAM Encuentre información aquí en stock.xlsx Introducción: El MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80 es un módulo DDR SDRAM d...
co comercial internacional rongxing., limitado
Sitio 10b, 10ª planta, edificio electrónico de la tecnología, norte de Huaqiang, Shenzhen
Chip CI MT29RZ2C2DZZMGMF-18 de la memoria de 256MB RDA SDRAM
MT29RZ2C2DZZMGMF-18 - 256MB de memoria DDR SDRAM Encuentre información aquí en stock.xlsx Introducción: El MT29RZ2C2DZZMGMF-18 es un módulo DDR SDRA...
co comercial internacional rongxing., limitado
Sitio 10b, 10ª planta, edificio electrónico de la tecnología, norte de Huaqiang, Shenzhen
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.8 - 128MB RDA SDRAM
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.8 - 128MB RDA SDRAM Introducción: El MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.8 es un módulo de 128MB RDA SDRAM diseñado para el uso en u...
co comercial internacional rongxing., limitado
Sitio 10b, 10ª planta, edificio electrónico de la tecnología, norte de Huaqiang, Shenzhen
Chip CI MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 de la memoria de 512MB RDA SDRAM
MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 - 512MB DDR SDRAM Encuentre información aquí en stock.xlsx Introducción: El MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 es un módulo DDR SDRAM d...
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Sitio 10b, 10ª planta, edificio electrónico de la tecnología, norte de Huaqiang, Shenzhen
Chip CI 1GB DDR2 SDRAM de la memoria de MT47H128M8SH-25EIT
MT47H128M8SH-25EIT - 1 GB de RAM DDR2 para el almacenamiento de datos Encuentre información aquí en stock.xlsx Introducción: El MT47H128M8SH-25EIT e...
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Sitio 10b, 10ª planta, edificio electrónico de la tecnología, norte de Huaqiang, Shenzhen
667MHz 1GB DDR2 SDRAM MT47H128M8CF-25E D9LVF
MT47H128M8CF-25E ((D9LVF) - 1 GB de memoria RAM DDR2 para el almacenamiento de datos Encuentre información aquí en stock.xlsx Introducción: El MT47H...
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Sitio 10b, 10ª planta, edificio electrónico de la tecnología, norte de Huaqiang, Shenzhen
MT41J64M16JT-109MN - 1GB DDR3 SDRAM 1333MHz
MT41J64M16JT-109MN - 1 GB de memoria RAM DDR3 Encuentre información aquí en stock.xlsx Introducción: El MT41J64M16JT-109MN es un módulo de 1 GB DDR3...
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