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Ésta es la ronda ir de 3m m que emite el diodo que el T-1 estándar llevó con el tipo receptor del reborde del fotodiodo del perno del silicio
Número de parte. | Chip Material | Color del lente | Color de la fuente |
DL-304PDA-2PD | Silicio | Negro | Receptor del fotodiodo |
Notas:
Características:
Descripciones:
Usos:
Grados máximos absolutos en Ta=25℃
Parámetros | Símbolo | Máximo. | Unidad |
Disipación de poder | Paladio | 150 | mW |
Voltaje reverso | VR | 32 | V |
Gama de temperaturas de funcionamiento | Topr | -25℃ a +80℃ | |
Gama de temperaturas de almacenamiento | Tstg | -40℃ a +85℃ | |
Temperatura que suelda de la ventaja [4m m (.157 ″) de cuerpo] | Tsld | 260℃ |
Características ópticas eléctricas en Ta=25℃
Parámetros | Símbolo | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidad | Condición de prueba |
Avería reversa | BVR | 32 | 170 | --- | V | Ee=0mW/cm2, IR=100μA |
Voltaje de circuito abierto | VOC | --- | 0,42 | --- | V | Ee=5mW/cm2 λp=940nm |
Corriente del cortocircuito | ISC | --- | 30 | --- | μA | Ee=1mW/cm2, λp=940nm, VR =5V |
Corriente ligera reversa | IL | 1,0 | 3,0 | --- | ||
Corriente oscura | Identificación | --- | --- | 10 | nA | Ee=0mW/cm2, VR =10V |
Longitud de onda de la sensibilidad máxima | λp | --- | 940 | --- | nanómetro | |
Sonó de ancho de banda espectral | λd | 840 | --- | 1100 | nanómetro | |
Capacitancia total | Ct | --- | 5 | --- | PF | Ee=0mW/cm2, f=1MHZ, VR =5V |
Tiempo de subida (el 10% A los 90%) | Tr | --- | 6 | --- | ns | RL=100Ω, VR =10V |
Tiempo de caída (el 90% A los 10%) | Tf | --- | 6 | --- |
Notas:
(Temperatura ambiente 25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
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