DOUBLE LIGHT ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
Fabricante profesional del LED de China Durante 10 años de experiencias de la producción del LED Suficiente fuente, totalmente calidad confiada
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GaAlAs 5m m redondos con el infrarrojo del reborde que emite la longitud de onda máxima 850nm de la emisión del diodo
diodo de emisión infrarrojo 940nm de 5m m
Características:
Tiempo de respuesta rápido
Alta sensibilidad de la foto
Pequeña capacitancia de empalme
El Pb libera
Este producto sí mismo permanecerá dentro de la versión obediente de RoHS.
Detalles del producto:
Material del microprocesador: Silicio
Color del lente: negro
Voltaje reverso: 32V
Voltaje de circuito abierto: 0.39V
Corriente del cortocircuito: 35μA
Corriente ligera reversa: 35
Ángulo de visión: 80°
Descripción:
características llevadas infrarrojas de los 5MM:
Ventajas de fines generales.
2. Eficacia alta.
3. De intensidad alta.
4. Bajo consumo de energía.
5. RoHS obediente.
6. Tamaño a partir 3m m hasta 10m m
7. Ightness estándar y estupendo
8. Diverso estilo de la forma y de la cabeza
9. Gama de temperaturas ancha de funcionamiento
10. Amplia gama de la selección de color
usos llevados infrarrojos de los 5MM:
1. Equipo de Phtographing
2. cámaras de vigilancia
3. control remoto
4. otros usos especiales
| Parámetros | Símbolo | Máximo. | Unidad |
| Disipación de poder | Paladio | 100 | mW |
|
Corriente delantera máxima |
IFP | 1,00 | A |
| Corriente delantera | SI | 50 | mA |
| Voltaje reverso | VR | 5 | V |
| Gama de temperaturas de funcionamiento | Topr | -40℃ a +80℃ | |
| Gama de temperaturas de almacenamiento | Tstg | -40℃ a +85℃ | |
| Temperatura que suelda | Tsld | 260℃ por 5 segundos | |
Características ópticas eléctricas en Ta=25℃
| Parámetros | Símbolo | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidad | Condición de prueba |
| Intensidad radiante (nota 1) * | EE | 20,0 | 25,0 | --- | mW/sr | IF=20mA |
| --- | 50,0 | --- | IF=50mA, tp=100µs, tp/T=0.01 | |||
| Ángulo de visión (nota 2) * | 2θ1/2 | --- | 45 | --- | Grado | IF=20mA |
| Longitud de onda máxima de la emisión | λp | --- | 940 | --- | nanómetro | IF=20mA (nota 3) |
| Ancho de banda espectral | △λ | --- | 50 | --- | nanómetro | IF=20mA |
| Voltaje delantero | VF | 0,80 | 1,20 | 1,50 | V | IF=20mA |
| --- | 1,50 | 1,60 | IF=50mA, tp=100µs, tp/T=0.01 | |||
| Corriente reversa | IR | --- | --- | 10 | µA | VR=5V |