El DL-HP10 SIR Infrared Emitting Diode es un diodo de intensidad alta.
El dispositivo se hace juego espectral con el fototransistor, el fotodiodo y el módulo de receptor infrarrojo.

Usos:

Número de parte.	Chip Material	Color del lente	Color de la fuente
DL-HP10SIRA-1SIR120	GaAlAs	Claro del agua	Infrarrojo

Notas:

Todas las dimensiones están en milímetros.
La tolerancia es ± 0,25 milímetros (.010 ″) salvo especificación de lo contrario.
Las especificaciones están conforme a cambio sin previo aviso.

Grados máximos absolutos en Ta=25℃

Parámetros	Símbolo	Máximo.	Unidad
Disipación de poder	Paladio	1000	mW
Corriente delantera máxima (1/10 ciclo de trabajo, anchura de pulso 0.1ms)	IFP	1,00
Corriente delantera	SI	350	mA
Voltaje reverso	VR	5	V
Gama de temperaturas de funcionamiento	*Topr*	-10℃ a +70℃
Gama de temperaturas de almacenamiento	*Tstg*	-20℃ a +80℃
Temperatura que suelda	*Tsol*	260℃ por 5 segundos

Características ópticas eléctricas en Ta=25℃

Parámetros	Símbolo	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidad	Condición de prueba
Intensidad radiante	IE	110	180	----	mW/Sr	IF=350mA
Ángulo de visión *	2θ1/2	----	120	----	Grado	(Nota 1)
Longitud de onda máxima de la emisión	λp	----	850	----	nanómetro	IF=350mA
Ancho de banda espectral	△λ	----	45	----	nanómetro	IF=350mA
Voltaje delantero	VF	1,30	1,50	1,80	V	SI =350mA
Corriente reversa	IR	----	----	50	µA	V R =5V

Notas:

el θ el 1/2 es el ángulo de fuera del eje al cual la intensidad luminosa es mitad de la intensidad luminosa axial.

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