Categorías de Producto

7 exhibiciones llevadas segmento

[70]

Pantalla LED del dígito

[28]

Contacta

DOUBLE LIGHT ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MrChen

Ver detalles de contacto

Contacta

China El vatio de emisión infrarrojo material 850nm ir del diodo 0,06 del microprocesador del GaAs llevó el diodo electroluminoso del microprocesador 0850 SMD wholesale

El vatio de emisión infrarrojo material 850nm ir del diodo 0,06 del microprocesador del GaAs llevó el diodo electroluminoso del microprocesador 0850 SMD

Preguntar último precio

Número de modelo :DL-PCB0805IRCA-1IR120

Lugar del origen :China (continental)

Cantidad de orden mínima :10.000 unidades

Condiciones de pago :Transferencia telegráfica por adelantado (TT anticipado, T/T)

Capacidad de la fuente :15,000,000pcs por día

Plazo de expedición :5-7 días laborables después de recibieron su pago

Detalles de empaquetado :Dimensiones por unidad: 0,28 × del × 0,2 0,13 metros • Peso por unidad: 3,5 kilogramos • Unidades

Nombre del producto :0805 LED infrarrojos

Diámetro :SMD 0805

Color emitido :SMD LED infrarrojo

Longitud de onda máxima de la emisión :940NM

Material del microprocesador :GaAlAs

Tipo de la lente :agua clara

Voltaje delantero @20ma :1.1-1.4V

Ángulo de visión :120 grados

Contacta

Add to Cart

Ver descripción del producto

El vatio 850nm ir del grado 0,06 del material 120 del microprocesador del GaAs llevó el diodo electroluminoso del microprocesador 0850 SMD

Diodo de emisión infrarrojo de SMD

Características:

Paquete en cinta de 8m m en 7" carrete del diámetro.
Compatible con el equipo automático de la colocación.
Compatible con infrarrojo y proceso de la soldadura del flujo de la fase de vapor.
tipo del Mono-color.
El producto sí mismo permanecerá dentro de la versión obediente de RoHS.

Descripciones:

El 0805IR es un diodo de emisión infrarrojo en el paquete miniatura de SMD que se moldea en un plástico transparente del agua con la lente de opinión de top plano.
El dispositivo se hace juego espectral con el fotodiodo y el fototransistor.

Usos:

Sensor infrarrojo montado PWB.
Emisión infrarroja para la barrera ligera miniatura.
Disquetera.
Interruptor optoelectrónico.
Detector de humo.

Grados máximos absolutos en Ta=25℃

Parámetros	Símbolo	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidad	Condición de prueba
Intensidad radiante *	EE	0,20	0,35	---	mW/sr	IF=20mA
Intensidad radiante *	EE	---	2,50	---	mW/sr	IF=100mA (Pulso Width≤100µs, el Duty≤1%)
Ángulo de visión *	2θ el 1/2	---	140	---	Grado	IF=20mA (nota 2)
Longitud de onda máxima de la emisión	λp	---	940	---	nanómetro	IF=20mA (nota 3)
Ancho de banda espectral	△λ	---	50	---	nanómetro	IF=20mA
Voltaje delantero	VF	0,80	1,20	1,50	V	IF=20mA
Voltaje delantero	VF	---	1,60	1,80	V	IF=100mA (Pulso Width≤100µs, el Duty≤1%)
Corriente reversa	IR	---	---	10	µA	V_R=5V

Notas:

El permiso (radiante) luminoso de la medida de la intensidad es el θ el_1/2 del ± el 10%. es el ángulo de fuera del eje al cual la intensidad luminosa es mitad de la intensidad luminosa axial. La longitud de onda dominante (λp) se deriva del diagrama de cromaticidad del CIE y representa la sola longitud de onda que define el color del dispositivo.

Parámetros	Símbolo	Máximo.	Unidad
Disipación de poder	Paladio	100	mW
Corriente delantera máxima (1/10 ciclo de trabajo, anchura de pulso 0.1ms)	IFP	1,00	A
Corriente delantera	SI	50	mA
Voltaje reverso	VR	5	V
Gama de temperaturas de funcionamiento	Topr	-40℃ a +80℃
Gama de temperaturas de almacenamiento	Tstg	-40℃ a +100℃
Temperatura que suelda de la ventaja	Tsld	260℃ por 5 segundos

Dimensión de emisión infrarroja del paquete del diodo:

Carro de la investigación 0