condición infrarroja de emisión infrarroja IC=100μA, ² del fototransistor del módulo de Tranmitter IR del diodo 940nm de Ee=0mW/cm

condición infrarroja de emisión infrarroja IC=100μA, ² del fototransistor del módulo de Tranmitter IR del diodo 940nm de Ee=0mW/cm

fototransistor de 5m m LED

1. Características:

1. paquete redondo del T-1 3/4 del estándar de 5m m.
2. Tiempo de respuesta rápido.
3. Alta sensibilidad de la foto.
4. Pequeña capacitancia de empalme.
5. El producto sí mismo permanecerá dentro de la versión obediente de RoHS.

1. Descripciones:

1. El 583PTD es un fototransistor sensible de alta velocidad y alto del silicio NPN en un paquete estándar Φ5.
2. Debido a su epóxido negro, el dispositivo se hace juego a la luz visible y a la radiación infrarroja.

1. Usos:

1. Sistema aplicado infrarrojo.
2. Sistema optoelectrónico del control automático.
3. Interruptor optoelectrónico.
4. Cámara.
5. Impresora.
6. Contadores y clasificadores.
7. Codificadores.
8. Disquetera.
9. Cámara de vídeo, cinta y lectores de tarjetas.
10. Sensores de posición.

1. Grados máximos absolutos en Ta=25℃

   Parámetros	Símbolo	Clasificación	Unidad
   Disipación de poder	PD	75	mW
   Voltaje del Colector-emisor	VCEO	30	V
   Emisor-Colector-voltaje	VECO	5	V
   Corriente de colector	IC	20	mA
   Temperatura de funcionamiento	TOPR	-40 a +85	℃
   Temperatura de almacenamiento	TSTG	-40 a +100	℃
   Temperatura que suelda de la ventaja	SOLENOIDEDE T	260℃	℃

    

   Características ópticas eléctricas en Ta=25℃

   Parámetros	Símbolo	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidad	Condición
   Voltaje de avería del Colector-emisor	CEODE LA BV	30	---	---	V	IC=100μA, ² de Ee=0mW/cm
   Voltaje de avería del Emisor-colector	BVECO	5	---	---	V	ES DECIR =100μA, ² de Ee=0mW/cm
   Voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE(SAT)	---	---	0,40	V	IC=0.70mA, Ee=1mW/cm2
   Corriente oscura de colector	ICEO	---	---	100	nA	² de Ee=0mW/cm, VCE=20V
   Corriente de colector del En-estado	IC(ENCENDIDO)	0,70	2,00	---	mA	² de Ee=1mW/cm, VCE=5V
   Tiempo de subida óptico (el 10% al 90%)	TR	---	15	---	μs	VCE=5V, IC=1mA, RL=100Ω
   Tiempo de caída óptico (el 90% al 10%)	TF	---	15	---
   Ángulo de la recepción	2θ1/2	---	30	---	Grado
   Longitud de onda de la sensibilidad máxima	λP	---	940	---	nanómetro
   Sonó de ancho de banda espectral	λ0.5	400	---	1100	nanómetro