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El diodo electroluminoso llevado infrarrojo 3 salta en un 0.2W SMD 5050 IR LED 940nm
Diodo de emisión infrarrojo de SMD 5050
Parámetros | Símbolo | Máximo. | Unidad |
Disipación de poder | Paladio | 130 | mW |
Corriente delantera máxima (1/10 ciclo de trabajo, anchura de pulso 0.1ms) |
IFP | 1,00 | A |
Corriente delantera continua | SI | 65 | mA |
Voltaje reverso | VR | 5 | V |
Gama de temperaturas de funcionamiento | Topr | -25℃ a +80℃ | |
Gama de temperaturas de almacenamiento | Tstg | -40℃ a +85℃ | |
Temperatura que suelda | Tsld | 260℃ por 5 segundos |
Características ópticas eléctricas en Ta=25℃
Parámetros | Símbolo | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidad | Condición de prueba |
Intensidad radiante * | EE | 1,00 | 1,50 | --- | mW/sr | IF=20mA |
--- | 7,00 | --- |
IF=100mA (Pulso Width≤100µs, el Duty≤1%) |
|||
Ángulo de visión * | 2θ el 1/2 | --- | 120 | --- | Grado | IF=20mA (nota 2) |
Longitud de onda máxima de la emisión | λp | --- | 940 | --- | nanómetro | IF=20mA (nota 3) |
Ancho de banda espectral | △λ | --- | 45 | --- | nanómetro | IF=20mA |
Voltaje delantero | VF | 0,80 | 1,20 | 1,50 | V | IF=20mA |
--- | 1,40 | 1,80 |
IF=100mA (Pulso Width≤100µs, el Duty≤1%) |
|||
Corriente reversa | IR | --- | --- | 10 | µA | VR=5V |
Notas:
El permiso (radiante) luminoso de la medida de la intensidad es el θ el1/2 del ± el 10%. es el ángulo de fuera del eje al cual la intensidad luminosa es mitad de la intensidad luminosa axial. La longitud de onda dominante (λp) se deriva del diagrama de cromaticidad del CIE y representa la sola longitud de onda que define el color del dispositivo.