Ésta es 40mil la longitud de onda llevada ir 850nm/940nm de la emisión del pico del diodo del poder más elevado del microprocesador 1w
Características:
- Alta confiabilidad.
- Alta intensidad radiante.
- Voltaje delantero bajo.
- Longitud de onda máxima λp=850nm.
- El producto sí mismo permanecerá dentro de la versión obediente de RoHS.
Descripciones:
- El diodo de emisión infrarrojo DL-HP10SIRA-1SIR120 es un diodo de intensidad alta.
- El dispositivo se hace juego espectral con el fototransistor, el fotodiodo y el módulo de receptor infrarrojo.
Usos:
- Sistema de transmisión del aire libre.
- Interruptor optoelectrónico.
- Disquetera.
- Sistema aplicado infrarrojo.
- Detector de humo.
Nuestros servicios
1. Tenemos nuestro propio departamento del R&D de la independiente en los productos existentes para un mejor mantenimiento, nosotros todavía continuamos desarrollando productos de alta tecnología. Tenemos nuestros propios productos patentados.
2. Nuestros productos deben pasar procedimientos estrictos del control de calidad.
3. Hemos avanzado el equipo de producción.
4. Utilizamos las materias primas somos de fabricantes bien conocidos nacionales y extranjeros de la marca.
5. Después de pruebas repetidas antes del envío.
Ventajas
1. larga vida: vida del producto de hasta 50.000 horas;
2. el tiempo de respuesta, el brillo y el color del nanosegundo hacen fácil controlar dinámicamente: permite cambios dinámicos del color y control numérico;
3. Un espacio grande del diseño: la arquitectura orgánica se puede observar con la integración para considerar solamente el efecto de la luz no considerada de la luz;
4. protección del medio ambiente: ningún tóxico metals el mercurio, la radiación no infrarroja y ultravioleta;
5. color: diversas longitudes de onda producen diversa luz coloreada, haber saturado brillante, ningún filtro, pueden controlar rojo, verde y los colores primarios azules para formar una variedad de colores, pueden realizar pendientes a todo color, y otros efectos del color.
Grados máximos absolutos en Ta=25℃
| Parámetros |
Símbolo |
Máximo. |
Unidad |
| Disipación de poder |
Paladio |
1000 |
mW |
|
Corriente delantera máxima
(1/10 ciclo de trabajo, anchura de pulso 0.1ms)
|
IFP |
1,00 |
A |
| Corriente delantera |
SI |
350 |
mA |
| Voltaje reverso |
VR |
5 |
V |
| Gama de temperaturas de funcionamiento |
Topr |
-10℃ a +70℃ |
| Gama de temperaturas de almacenamiento |
Tstg |
-20℃ a +80℃ |
| Temperatura que suelda |
Tsld |
260℃ por 5 segundos |
Características ópticas eléctricas en Ta=25℃
| Parámetros |
Símbolo |
Mínimo. |
Tipo. |
Máximo. |
Unidad |
Condición de prueba |
| Intensidad radiante |
IE |
110 |
180 |
--- |
mW/Sr |
IF=350mA |
| Ángulo de visión * |
2θ1/2 |
--- |
120 |
--- |
Grado |
(Nota 1) |
| Longitud de onda máxima de la emisión |
λp |
--- |
850 |
--- |
nanómetro |
IF=350mA |
| Ancho de banda espectral |
△λ |
--- |
45 |
--- |
nanómetro |
IF=350mA |
| Voltaje delantero |
VF |
1,30 |
1,50 |
1,80 |
V |
IF=350mA |
| Corriente reversa |
IR |
--- |
--- |
50 |
µA |
VR=5V |
Notas:
1. el θel1/2 es el ángulo de fuera del eje al cual la intensidad luminosa es mitad de los intens luminosos axiales
Dimensión infrarroja del paquete del poder más elevado LED:
