Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.

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Modulo IGBT de baja VCE sat y corriente de cortocircuito para y bajas pérdidas de conmutación KUG100H12S4L

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Ciudad:dongguan
País/Región:china
Persona de contacto:MrJack
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Modulo IGBT de baja VCE sat y corriente de cortocircuito para y bajas pérdidas de conmutación KUG100H12S4L

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  • VCE bajo (sat)

  • Corriente de cortocircuito de 10 μs

  • Bajas pérdidas por cambio

  • Coeficiente de temperatura VCE (sat) positivo

  • Diodos de ruedas libres con baja caída de voltaje hacia adelante y recuperación suave

  • Paquete estándar industrial con placa base de cobre

Diagrama del circuito interno

Modulo IGBT de baja VCE sat y corriente de cortocircuito para y bajas pérdidas de conmutación KUG100H12S4L

Parámetros de las especificaciones

Tipo de producto VCES VGES IC VCE (SAT) (EON + EOFF) TJ, el Sr. Ptot Circuito Paquete Tecnología
Voltios Voltios Amperios Voltios - ¿ Qué? Vatio
Se trata de un producto de la categoría "A" Las demás: ± 20 40A 2.80V 7.2 mJ 150 °C 250 W 2 Envases 34 mm El TNP
Se aplicará el procedimiento siguiente: Las demás: ± 20 50A 2.80V 7.2 mJ 150 °C 285W 2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente: Las demás: ± 20 Las demás: 2.80V 10.6 mJ 150 °C 395W 2 Envases
Se trata de un producto de la familia de los derivados. Las demás: ± 20 Las demás: 3.10V 13.4 mJ 150 °C 555W 2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente: Las demás: ± 20 Las demás: 2.80V 17.0 mJ 150 °C 790 W 2 Envases
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche. Las demás: ± 20 40A 2.10V 8.8mJ 175 °C 250 W 2 Envases En las trincheras
Se aplican las siguientes condiciones: Las demás: ± 30 50A 1.65V 10.1 mJ 175 °C 285W 2 Envases
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche. Las demás: ± 30 Las demás: 1.65V 18.0 mJ 175 °C 395W 2 Envases
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche. Las demás: ± 30 Las demás: 1.65V 24.8mJ 175 °C 555W 2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente: Las demás: ± 20 40A 2.10V 8.4 mJ 175 °C 250 W 2 Envases En la zanja
muy rápido.
Se aplicará el procedimiento siguiente: Las demás: ± 20 50A 2.25V 9.4 mJ 175 °C 285W 2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente: Las demás: ± 20 Las demás: 2.00V 14.0 mJ 175 °C 395W 2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente: Las demás: ± 20 Las demás: 1.90V 19.5 mJ 175 °C 555W 2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente: Las demás: ± 20 Las demás: 1.90V 27.8mJ 175 °C 790 W 2 Envases

Modulo IGBT de baja VCE sat y corriente de cortocircuito para y bajas pérdidas de conmutación KUG100H12S4L


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