Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.
Krunter Future Tech. (Dongguan) Co., Ltd. y sus subsidiarias
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Alta densidad de potencia con tecnología Trench FS IGBT
VCE bajo (sat)
Operación paralela habilitada; diseño simétrico y coeficiente de temperatura positivo
Diseño de baja inductancia
Sensor de temperatura NTC integrado
Base aislada con tecnología DBC
Diseño compacto y robusto con terminales moldeados
| Tipo de producto | VBR Voltios |
VGS (h) Voltios |
Identificación Amperios |
RDS (apagado) mΩ |
El IDSS UA |
TJ, el Sr. | Rth ((JC) En el caso de los vehículos de motor |
Ptot Vatio |
Circuito | Paquete | Tecnología |
| Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deben cumplirse en todos los casos. | Las demás: | 3.2V | Las demás: | 3.7mΩ | 200 uA | 175 °C | 0.064 | 2230W | 2 Envases | El número de personas afectadas | SIC MOSFET |
| Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en el caso de los equipos de ensayo. | Las demás: | 3.2V | Las demás: | 2.2mΩ | 200 uA | 175 °C | 0.064 | 3200 W | 2 Envases | SIC MOSFET |