| Salidas del voltaje |
| Gama y poder de la salida |
4 CAdel×310 V (L-N) |
124 VA máximos cada uno |
| C.C. de 3×350 V (L-N) |
140 W máximo cada uno |
| Exactitud |
±2milivoltio @ <2v ac="">
<0>
<0> |
C.C. de ±10mV <5v>@
C.C. del ±0.5% @ ≥5V |
| Gama del voltaje |
Gama I: 30V |
| Gama II: 310V |
| Gama automática |
| Compensación de DC |
<>tipode 10milivoltio. / <>60 guar delmilivoltio |
| Resolución |
1mV |
| Distorsión |
<0>Tipodel 15%. / <0>El 05% guar. |
| Salidas actuales |
| Gama y poder de la salida |
CAde 6×35A (L-N) |
450 VA máximos cada uno |
| 3×70unaCA(2L-N) |
850 VA máximos cada uno |
| CA 1×100A (6L-N) |
VA 1200 máximo |
| C.C. 3×20A (L-N) |
300W máximo cada uno |
| Exactitud |
±1mA @ <0>
<0>Tipodel 2%Rd+0.01Rg. @ CA 0.5A~35A
<0>Guardel 05%Rd+0.02Rg. @ CA 0.5A~35A |
C.C. de ±5mA <1a>@
C.C. del ±0.5% @ ≥1A |
| Gama actual |
Gama I: 3A |
| Gama II: 35A |
| Gama automática |
| Compensación de DC |
<3ma Typ=""> |
| Resolución |
1mA |
| Distorsión |
<0>Tipodel 25%. / <0>El 07% guar. |
| Ángulo de la frecuencia y de fase |
| Gama de frecuencia |
DC~1KHz, transeúnte 3KHz |
| Exactitud de la frecuencia |
±0.5ppm |
| Resolución de la frecuencia |
0,001 herzios |
| Gama de la fase |
-360°~360° |
| Exactitud de la fase |
<0>tipode 2°. / <0> |
| Resolución de la fase |
0.001° |
| Fuente aux. del voltaje de DC (simulador de la batería) |
| Gama |
0~350V @ 140 W máximos |
| Exactitud |
guar 0.5%Rg. |
| Entrada binaria |
| Cantidad |
8pairs |
| Tipo |
mojado/seco, hasta la entrada máxima 300Vdc |
| Resolución de tiempo |
10us |
| Tasa de muestreo |
10KHz |
| Tiempo de Debounce |
0~25ms (el software controló) |
| Gama de tiempo |
Infinito |
| Errores del tiempo |
≤1s, el±0.1%@>1sde ±1ms @ |
| Aislamiento galvánico |
Aislado cada uno se empareja |
| Salida binaria (tipo de la retransmisión) |
| Cantidad |
4pairs |
| Tipo |
Contactos de retransmisión libres potenciales, software controlado |
| CA de la capacidad de la rotura |
Vmax: 400Vac/Imax: 8A/Pmax: 2500VA |
| Capacidad DC de la rotura |
Vmax: 300Vdc/Imax: 5A/Pmax: 150W |
| Salida binaria (tipo del semiconductor) |
| Cantidad |
4pairs |
| Tipo: |
Abierto-colector, tipo varón de la combinación |
| Capacidad DC de la rotura |
5~15Vdc/5mA, 10mA máximo |
| Tiempo de respuesta: |
100us |
| Sincronización |
| Modo de la sincronización |
GPS, tipo conector de antena de SMA |
| Fuente y ambiente de alimentación |
| Voltaje entrado nominal |
La CA de 110 V/220/230V, designó |
| Voltaje entrado permitido |
85~264Vac, 125~350VDC, auto-protector |
| Frecuencia nominal |
50/60Hz |
| Frecuencia permitida |
45Hz~65Hz |
| Consumo de energía |
VA 1500 máximo |
| Tipo de conexión |
Zócalo estándar 60320 de la CA |
| Temperatura de funcionamiento |
-10℃~55℃ |
| Temperatura de almacenamiento |
-20℃~70℃ |
| Humedad |
<95> |
| Otros |
| Conexión de PC |
RJ45 Ethernet, el 10/100M |
| Terminal que pone a tierra |
zócalo del plátano de 4m m |
| Peso |
19,5 kilogramos |
| Dimensiones (W x D x H) |
360×450×140 (milímetros) |
