Cerámica de berília/cerámica de óxido de berilioLa cerámica de óxido de berilio es la cerámica con óxido de berilio como componente principal, utilizada principalmente como sustrato para circuitos integrados a gran escala, tubos láser de gas de alta potencia,con una capacidad de transmisión superior a 20 W,, ventanas de salida de microondas y moderadores de neutrones.Características deCerámica de óxido de berilioEl óxido de berilio puro (BeO) pertenece al sistema de cristales cúbicos, y su densidad es de 3,03 g/cm3. El punto de fusión es de 2570oC, tiene una alta conductividad térmica, la conductividad térmica λ es de 200-250W/m.K) ElLas cerámicas de óxido de berilio están hechas de polvo de óxido de berilio como materia prima, alumina y otros ingredientes se agregan y sinterizan a alta temperatura.El rango de temperatura de fusión del óxido de berilio es de 2530 oC a 2570 oC, y su densidad teórica es de 3,02 g/cm3. Puede utilizarse durante mucho tiempo a 1800oC en vacío, 2000oC en gas inerte y 1800oC en atmósfera oxidante.El rendimiento más destacado de la cerámica de óxido de berilio es su gran conductividad térmicaEs un material dieléctrico con propiedades eléctricas, térmicas y mecánicas únicas.Aplicación deCerámica de óxido de berilioLa cerámica de óxido de berilio se utiliza ampliamente en la tecnología de microondas, la tecnología de vacío eléctrico, la tecnología nuclear, la microelectrónica debido a su alta conductividad térmica, su alto punto de fusión,fuerza, alto aislamiento, baja constante dieléctrica, baja pérdida dieléctrica y buena adaptabilidad al proceso de envasado.especialmente en dispositivos semiconductores de alta potenciaEl material cerámico de alta conductividad térmica es el más utilizado para la fabricación de componentes de alta conductividad.

Especificación

Cerámica de óxido de berilioDatos técnicos:

Punto de trabajo	Condiciones de ensayo	Especificación		Unidad
Punto de trabajo	Condiciones de ensayo	El B-97	B-99	Unidad
Constante dieléctrica	1MHz	6.90.4	6.90.4
Constante dieléctrica	(100.5) GHz
Tangente de pérdida dieléctrica	1MHz	≤ 4X 10-4	≤ 4X 10-4
Tangente de pérdida dieléctrica	(100.5) GHz	≤ 8X 10-4	≤ 8X 10-4
Resistencia por volumen	25oC	≥1014	≥1014	O.cm
Resistencia por volumen	300oC	≥ 10" y	≥ 10" y	O.cm
Fuerza de ruptura	D C	≥ 15 años	≥ 20	el valor de las emisiones de CO2
CMOR	-	≥ 170	≥ 190	MPa
Coeficiente de expansión lineal medio	25oC a 500oC	(7,0 a 8,5) * 10-4	(7,0 a 8,5) * 10-4	I/K
Conductividad térmica	25oC	≥ 200	≥ 240	No se incluyen en la lista.
	100oC	≥ 160	≥ 190	No se incluyen en la lista.
Resistencia al choque térmico	0 oC a 800 oC	No debería haber grietas.
Densidad de volumen		≥ 2 años85	≥ 2 años85	g/ cm3
Estabilidad química	1:9HCL	≤ 03	≤ 03	Mg/cm2
	10% de NaOH	≤ 02	≤ 02
Estrechamiento del aire	-	≤ 10*10-11	≤ 10*10-11	Pa. m3/s
Tamaño medio del grano	-	Entre 12 y 30	Entre 12 y 30	Mm

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